搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 晶体”相关记录238条 . 查询时间(0.167 秒)
有机发光晶体管（OLETs）是一种兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势，被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外，OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径，使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切...
中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会“2023年中国压电晶体年会”在重庆召开（图）
电子元件 压电晶体 重庆
2023/11/12
2023年10月25-28日，由中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会主办，惠伦晶体承办的“2023中国压电晶体年会”在重庆召开。这是疫情管控放开后，晶体业界创办的第一次年会。本次年会一如以往受到国内外晶体业界的高度关注，实属业界又一次盛会。出席年会的嘉宾有重庆市经济和信息化委员会、市经济和信息化委员会电子信息处、重庆市万盛经开区党工委、万盛经开区经济和信息化局的多位领导；中国电子元件行业协...
中国科学院化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展（图）
半导体材料 晶体管器件 光电集成
2023/11/6
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外，OLETs作为一种可发光的晶体管器件，克服了传统晶体管存在可输入信号类型多，但...
中国科学院微电子所在低能耗垂直神经晶体管方面取得进展（图）
神经 晶体管 器件
2024/2/29
人工智能时代计算机日常需要处理的信息量急剧增加，如何在计算和存储等资源受限的边缘端快速、实时的处理信息已成为当前业界的共性需求。生物体的神经网络系统被认为是自然界中集感应、存储和计算一体化的系统，具有非常高效的信息处理能力，且工作能耗很低。受生物启发，开发神经形态器件及其阵列集成技术，构建类似生物神经网络功能的神经形态计算系统，是实现实时、高能效边缘计算系统的重要途径之一。
关于召开中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会“2023中国压电晶体年会”的通知
压电晶体 电子元件 年会通知
2023/11/17
中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会定于2023年10月25日～28日在重庆市召开“2023中国压电晶体年会”。
中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结（图）
二维原子晶体 光电子学 电子器件
2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性，利用二维原子晶体的这些优异特性，可研制面向下一代的信息功能器件，从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件，如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结，或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法