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实现高质量低维半导体材料及异质结构,建立结构及能带的精确调控方法,是新型光电信息材料及集成器件研究的核心。在国家自然科学基金、湖南省科技计划等相关项目的支持下,我校纳米光子与集成器件研究团队王笑教授等致力于新型二维原子晶体及异质结可控制备和光电性能调控方面的研究,近期取得了多项重要进展。二维原子晶体例如过渡金属硫族化物(TMDCs)由于其独特的光学和电学特性,近年来受到了广泛关注。TMDCs具有1...
2019年2月4日,清华大学微纳电子学系任天令教授团队在《美国化学学会纳米》 (ACS Nano)在线发表了题为《超低亚阈值摆幅,超高开关比双模式二硫化钼导电细丝晶体管》(“Two-Mode MoS2 Filament Transistor with Extremely Low Subthreshold Swing and Record High On/Off Ratio”)的研究论文,首次在埋栅...
近日,中国科学院北京纳米能源与系统研究所孙其君和王中林研究团队基于摩擦电子学的原理,制备了一种新型的二硫化钼摩擦离子电子学晶体管 (triboiontronic transistor),该器件通过工作在接触分离模式下的TENG产生的摩擦电势与离子调控的二硫化钼晶体管耦合,连接了摩擦电势调制特性以及离子调控的半导体特性。摩擦电势在离子凝胶和二硫化钼半导体界面处可诱导形成超高的双电层电容,可高效率调制...
2018年7月31日,新型微波晶体管技术研讨会在我校沙河校区召开,本次研讨会由中央军委科学技术委员会先进能源技术主题专家组首席科学家朱利宏研究员组织,先进能源技术主题责任专家、我校材料与能源学院院长向勇主持会议。科学技术发展研究院副处长吴传贵,材料与能源学院副院长刘明侦,先进能源技术主题专家组助理刘林杰、张晓琨,中国电子科技集团研究员冯进军、杨林、吴福伟、伍小保,以及来自材料学院、电子学院、光电学...
近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明,新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后,通过实验证实了这类材料存在能谷极化现象,并具有从紫外拓展到可见光、近红外以及远红外波段的可调能隙功能,相关研究近日发表在《纳米通讯》上,。
北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授、彭练矛教授课题组重新审视了MOS晶体管亚阈值摆幅的物理极限,提出一种新型超低功耗的场效应晶体管,并采用具有特定掺杂的石墨烯作为一个“冷”电子源,用半导体碳纳米管作为有源沟道,以高效率的顶栅结构构建出狄拉克源场效应晶体管(Dirac source-FET, DS-FET),在实验上实现室温下40 mV/DEC左右的亚阈值摆幅。变温测量结...
中国科学院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所首席科学家王中林于2006年利用氧化锌纳米线受应力时产生的压电电势来调控场效应晶体管的载流子输运特性,即后来所说的压电电子学晶体管,并且首次提出了压电电子学的概念。压电电子学晶体管是一种利用完全不同于传统CMOS器件工作原理的新型器件。这种器件利用金属-压电半导体界面处产生的压电极化电荷(即压电电势)作为栅极电压来调控晶体管中载流子的输运特性,...
近日,山东大学微电子学院纳电子中心、英国曼彻斯特大学、中科院半导体所三方合作在高速非晶氧化物半导体薄膜晶体管方面取得了进展,使非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管的截止频率超过了1GHz,相当于每秒可以工作10亿次。这是目前非晶氧化物半导体薄膜晶体管的最快纪录,达到了国际领先水平。相关成果已在线发表在IEEE Transactions on Electron Device(Vol. 65 (...

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