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基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。
基于Mie散射理论和低浓度近似，对锗蛋白石类光子晶体中的光子定域化现象进行了研究，数值揭示了入射波长、散射体大小和基质折射率对定域化参量的影响规律。结果表明，在散射体浓度为10%，相对折射率大于3.8，在中红外区3um~12um范围内出现了理想的定域化现象；随着入射波长的增大，定域化区所对应的散射体半径增大，定域化参量减小；同时，基质折射率的增大导致退定域化现象。