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中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结（图）
二维原子晶体 光电子学 电子器件
2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性，利用二维原子晶体的这些优异特性，可研制面向下一代的信息功能器件，从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件，如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结，或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
近日，天津大学封伟教授团队在半导体二维原子晶体的可控制备和带隙调控研究上取得重要突破：在理论计算和结构设计的基础上，采用-H/-OH封端二元锗硅烯，首次获得了具有带隙可调控的二维层状锗硅烷（gersiloxene）。通过精确控制二元配比，实现了二维锗硅烷的带隙调控，并探索了其光催化领域的应用价值，为后续设计新型半导体二维原子晶体提供了重要的研究基础。相关研究成果在线发表于《自然·通讯》（Natur...
实现高质量低维半导体材料及异质结构，建立结构及能带的精确调控方法，是新型光电信息材料及集成器件研究的核心。在国家自然科学基金、湖南省科技计划等相关项目的支持下，我校纳米光子与集成器件研究团队王笑教授等致力于新型二维原子晶体及异质结可控制备和光电性能调控方面的研究，近期取得了多项重要进展。二维原子晶体例如过渡金属硫族化物（TMDCs）由于其独特的光学和电学特性，近年来受到了广泛关注。TMDCs具有1...
中国科学院物理研究所二维原子晶体锑烯研究取得进展（图）
中国科学院物理研究所 二维原子晶体 锑烯研究
2017/12/29
未来信息技术需要低功耗、高性能的晶体管，国际半导体技术路线图描绘的未来晶体管通道长度小于10纳米。近年来的研究热点之一二维（2D）原子晶体材料与传统半导体材料相比，具有散射小、迁移率高、便于制备叠层异质结构、电学性质易于调控等特性，成为制作未来晶体管的优秀候选材料之一。在已发现的二维原子晶体材料中，由元素周期表中IV族元素构成的单层材料（例如石墨烯，硅烯，锗烯和锡烯等）具有高载流子迁移率，但由于其...
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h-BN表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在，有利于还原本征石墨烯极高的载流子迁移率。此外，h-BN具有宽禁带...