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本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 硅通孔结构 半导体器件
2023/11/16
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
一种半导体器件的制备方法及半导体器件（图）
半导体器件
2023/11/27
本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高...
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 隔离区 半导体器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所专利：钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所专利：功率半导体器件的背面集电极结构
中国科学院微电子研究所专利：一种半导体器件的替代栅集成方法
中国科学院微电子研究所 专利 半导体器件 替代栅 集成方法
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：一种半导体器件的替代栅集成方法
中国科学院微电子研究所专利：一种制作晶体管和半导体器件的方法
中国科学院微电子研究所 专利 晶体管 半导体器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：一种制作晶体管和半导体器件的方法
中国科学院微电子研究所专利：衬底结构、半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 衬底结构 半导体器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：衬底结构、半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 围栅结构 鳍式 半导体器件
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法