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本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切...
中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会“2023年中国压电晶体年会”在重庆召开（图）
电子元件 压电晶体 重庆
2023/11/12
2023年10月25-28日，由中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会主办，惠伦晶体承办的“2023中国压电晶体年会”在重庆召开。这是疫情管控放开后，晶体业界创办的第一次年会。本次年会一如以往受到国内外晶体业界的高度关注，实属业界又一次盛会。出席年会的嘉宾有重庆市经济和信息化委员会、市经济和信息化委员会电子信息处、重庆市万盛经开区党工委、万盛经开区经济和信息化局的多位领导；中国电子元件行业协...
中国科学院微电子所在低能耗垂直神经晶体管方面取得进展（图）
神经 晶体管 器件
2024/2/29
人工智能时代计算机日常需要处理的信息量急剧增加，如何在计算和存储等资源受限的边缘端快速、实时的处理信息已成为当前业界的共性需求。生物体的神经网络系统被认为是自然界中集感应、存储和计算一体化的系统，具有非常高效的信息处理能力，且工作能耗很低。受生物启发，开发神经形态器件及其阵列集成技术，构建类似生物神经网络功能的神经形态计算系统，是实现实时、高能效边缘计算系统的重要途径之一。
关于召开中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会“2023中国压电晶体年会”的通知
压电晶体 电子元件 年会通知
2023/11/17
中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会定于2023年10月25日～28日在重庆市召开“2023中国压电晶体年会”。
中国科学院微电子研究所专利：具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法
钠离子层状氧化物正极材料的能量密度由氧化还原电对可实现的电荷转移数和工作电压决定。为了提高能量密度研究人员提出了多种策略：例如，设计具有较多氧化还原活性中心的高镍和富锰正极材料；触发正极材料的阴离子氧化还原反应等。然而，高Ni含量会增加电池成本，富Mn材料因Mn3+的Jahn-Teller畸变具有较差的倍率性能和结构稳定性，阴离子氧化还原易造成晶格氧流失，导致电极动力学缓慢、电压滞后和电压衰减。因...
中国科学院微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展（图）
微电子所 有机分子 晶体器件 载流子输运
2023/1/12
2023年1月12日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。 相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化（trap-healing）现象，由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高，并具有跨导不依赖于栅压的电学特性，这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应，且存在其他影响电学性能的机制。
湖南大学展示纳米尺寸垂直晶体管原型器件
湖南大学 纳米尺寸 垂直晶体管 自然·电子学
2021/5/13
记者2021年5月7日从湖南大学获悉，刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管，其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新，为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前，这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展（图）
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响，使电子计算机掀起了一场变革，人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展，传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点，接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性，通过控制电荷的定向移动（电流）的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性，使其定向移动（自旋...
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了独立双栅非晶IGZO薄膜晶体管紧凑建模的最新研究成果。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因其极低的漏电流和低温工艺等特点，近些年在柔性显示、存储器和三维集成等方面愈发到关注。独立双栅（IDG）a-IGZO TFT由于其更大的开关比和对阈值电压的调控能力成为当前工业界的选择。要进一步评...
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
复旦大学微电子学院江安全课题组研制出具有产业化前景的高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管（图）
复旦大学微电子学院 江安全 产业化前景 高密度 存算一体化 非易失性 铁电单晶畴壁 存储器 晶体管
2020/6/24
近期，复旦大学微电子学院江安全课题组柴晓杰和江均等联合韩国首尔大学、英国圣安德鲁斯大学、中北大学、中科院物理所、浙江大学和华东师范大学以及济南晶正公司等研发出的新型铁电畴壁存储器，采用铌酸锂单晶薄膜材料与硅基电路低温键合（图1），存储介质无缺陷、晶界和空洞等，突破了新型多晶薄膜存储器的单元一致性和高可靠性集成技术的瓶颈。日前，相关研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的LiNbO3铁电单晶畴壁存储...
单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世（图）
单原子层沟道 鳍式场效应 晶体管 问世
2020/3/6
20世纪40年代以来，以微电子技术为主导的信息技术革命极大推动了科学技术的发展和社会的变革。过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。目前集成电路中可实现的最小加工尺寸为3-5纳米。当前，随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限，进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。