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中国科学院微电子研究所专利:一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳基 场效应晶体管
2023/7/6
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展(图)
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响,使电子计算机掀起了一场变革,人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展,传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点,接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性,通过控制电荷的定向移动(电流)的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性,使其定向移动(自旋...
单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世(图)
单原子层沟道 鳍式场效应 晶体管 问世
2020/3/6
20世纪40年代以来,以微电子技术为主导的信息技术革命极大推动了科学技术的发展和社会的变革。过去几十年来,微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展,按照摩尔定律的预测,集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。目前集成电路中可实现的最小加工尺寸为3-5纳米。当前,随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限,进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第五章 金属半导体场效应晶体管。
中国科学技术大学合作制备出二维黑磷场效应晶体管(图)
二维黑磷场效应 晶体管 石墨烯 电子技术
2014/3/6
近日,中国科学技术大学教授陈仙辉课题组在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得进展。研究组与复旦大学教授张远波、封东来和吴骅课题组通力合作,成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。该研究成果于3月2日在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。
四室成功研制实现石墨烯场效应晶体管(图)
石墨烯场效应 晶体管
2009/12/18
中科院微电子所微波器件与电路研究室(四室)针对国际前沿热点石墨烯(graphene)材料及器件开展了创新性研究,在吴德馨院士和刘新宇主任的大力支持下,金智研究员领导课题组对石墨烯材料和器件工艺展开深入研究,近日成功研制实现了首只石墨烯场效应晶体管(GFET)。
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,ID