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中国科学院微电子研究所专利：具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法
中国科学院物理研究所专利：一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。
专用集成电路与系统国家重点实验室成功研制出半浮栅晶体管器件
专用集成电路 系统国家重点实验室 半浮栅晶体管器件
2013/8/29
随着动态随机存储器存储密度的提升，电容加工的技术难度和成本大幅度提高，成为制约动态随机存储器发展的关键性因素。因此，科研人员一直在寻找可以用于制造动态随机存储器的无电容器件技术。专用集成电路与系统国家重点实验室（复旦大学）张卫教授团队长期以来一直从事集成电路工艺和新型半导体器件的研发，于近期取得重大突破，成功研发出半浮栅晶体管（SFGT）。采用该新器件构成的动态随机存储器，无需电容器便可实现传统动...