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电子科学与技术 抗单粒子效应
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:基于仿真的锗硅异质结双极晶体管
抗单粒子效应
加固方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
仿真
锗硅异质结
双极晶体管
抗单粒子效应
2024/1/12
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管
抗单粒子效应
加固方法,该方法构建三维损伤模型,校准模型的关键电学参数,通过设计的抗辐射加固方法,延伸器件集电极-衬底结,引入伪集电极,利用SRIM软件模拟单个离子入射器件,获取线性能量传输值随器件深度的变化,编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型,选取离子的典型入射位置,分别开展加固与未加固器件模型的
单粒子效应
仿真,将加固前器件模型作为参照,与加固后器件模...
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