搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 机理”相关记录69条 . 查询时间(0.233 秒)
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
中国科学院导电软孔薄膜的取向与导电新机理调控研究获进展（图）
导电软孔薄膜 导电性能 软孔晶体
2023/10/25
自从解锁了导电能力，具有良好导电性能的软孔晶体（Soft Porous Crystals，SPCs）在传感器和电催化等领域具有广阔的应用前景。2023年10月12日，中国科学院过程工程研究所研究员姚明水与日本京都大学教授Susumu Kitagawa、助理教授Kenichi Otake合作，开发了能够可控制备导电SPCs薄膜晶畴与取向的方法，发现了非电荷转移型调控半导体导电率的新手段。...
自20世纪初期，量子理论对技术发展做出了重大贡献。尽管量子理论取得了成功，但由于缺乏非平衡量子系统的框架，其应用主要限于平衡系统。超短激光脉冲和自由电子加速器X射线的产生，推动了整个非平衡超快动力学领域的发展。超快现象在物理、化学和生物等领域备受关注，例如光致相变、光诱导退磁、高能离子碰撞和分子化学反应等。非平衡超快领域的实验研究成果颇丰，已成为热点。然而，实验不能给出原子尺度的原子/分子位移，故...
中国科学院半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理（图）
亚铁磁自旋调控 自旋电子器件 轨道耦合
2023/7/7
自旋电子器件是解决后摩尔时代信息科学“存储墙”等瓶颈的重要选项。作为新原理器件，自旋电子器件如何通过新材料和新原理快速突破性能极限成为当务之急。近年来，亚铁磁和共线反铁磁等反铁磁耦合材料因其超快自旋动力学（~THz）和低退磁场特性成为自旋电子学领域的明星材料，人们暗自期待采用亚铁磁和反铁磁材料发展出优于铁磁的自旋存储器。然而，反铁磁耦合材料究竟如何与自旋流相互作用、能否作为低势垒信息存储介质、能否...
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
国内外大量的空间飞行实践表明，空间带电粒子诱发的充放电效应（SESD，Spacecraft charging induced Electro-Static Discharge）是空间天气导致航天器故障的主要方式之一，且故障现象主要表现为星用电子器件和电路系统出现数据或逻辑状态跳变、工作模式非受控切换、执行机构操作异常等可恢复性“软错误”。由于SESD故障宏观现象与单粒子效应（SEE，Single ...
二维 (2D) 材料，特别是石墨烯和氮化物的异质集成，为半导体器件提供了新的机遇，在制备柔性可穿戴设备，以及可转移电子和光子器件领域有广泛的应用前景。由于石墨烯表面自由能低，氮化物在石墨烯表面不易成核，采用等离子体预处理或者生长缓冲层的方法难以获得高质量的单晶氮化物。最近，一种新的外延技术——远程外延有望解决这一难题。该技术是利用石墨烯的“晶格透明性”，衬底和外延层产生远程的静电相互作用，通过这种...
金属氧化物室温气敏材料的结构调控及传感机理
金属氧化物半导体 气体传感材料 室温传感
2022/3/18
室温气敏材料能耗低、稳定性好、安全性高,并且有助于简化传感器的器件结构,具有很好的实际应用前景。开发具有优异室温传感性能的气敏材料成为近年来传感领域的研究热点。金属氧化物半导体材料来源广泛、环境友好、结构调控灵活,在室温气体传感性能方面取得一定的进展。本文介绍了金属氧化物气敏材料的发展历程及气体传感机理,详述了各种具有室温气敏性能的金属氧化物纳米结构,重点讨论构建金属氧化物室温传感性能的有效策略和...
近日，南方科技大学物理系讲席教授何佳清团队在热电半导体材料的热输运机理方面取得重要进展，相关研究成果以“First-Principles Study of Anharmonic Lattice Dynamics in Low Thermal Conductivity AgCrSe2: Evidence for a Large Resonant Four-Phonon Scattering”为题在《...
三维微电子封装热管理因素尤为突出，其原因是封装材料特征尺寸已缩小至几个微米，原位实验表征困难，材料微观结构因素包括原子尺度结构对封装材料的热管理和可靠性设计造成挑战。传统电子封装可靠性模拟与仿真结果与实验不符，领域急需面向三维微电子集成与封装可靠性模拟与仿真的新方法和新工具。我院黄智恒副教授研究小组在三维微电子封装铜硅通孔凸起机理原子尺度研究中取得进展，相关研究成果近日以专著章节的形式呈现在Spr...
西安电子科技大学微电子封装技术课件 封装可靠性模式-机理-检测。
复旦大学微电子学院周鹏课题组在P-N结的机理以及势垒和整流比间的关系方面取得新进展——获《半导体科学与技术》2018年度早期职业生涯最佳论文奖（图）
复旦大学微电子学院 周鹏 课题组 P-N结 势垒 整流比间 半导体科学与技术 2018年度 早期职业生涯 最佳论文奖
2018/11/26
近日，微电子学院教授周鹏课题组在新型二维材料P-N结的机理以及势垒和整流比间的关系方面取得新进展。10月17日，相关成果以《二维P-N异质结中接触势垒与整流比关系分析》（“Analysis of relationship between contact barrier and rectification ratio in two-dimensional P-N heterojunction”）为题...
中国科学院物理研究所等提出新的重费米子超导机理（图）
中国科学院物理研究所 重费米子 超导机理
2018/5/31
在重费米子超导体中，正常态重电子的有效质量可以达到自由电子质量的上百倍，其特征费米能量也相应削减，只有meV的量级。1979年，德国科学家Frank Steglich等人首先在CeCu2Si2中发现了重费米子超导，其超导转变温度约为0.6 K，为重电子费米能的5%，远大于一般的元素超导体，堪称“高温超导体”。同时其德拜温度又远大于重电子费米能，无法用传统的BCS超导理论解释，需要新的超导机理。这一...