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复旦大学微电子学院周鹏课题组在P-N结的机理以及势垒和整流比间的关系方面取得新进展——获《半导体科学与技术》2018年度早期职业生涯最佳论文奖（图）
复旦大学微电子学院 周鹏 课题组 P-N结 势垒 整流比间 半导体科学与技术 2018年度 早期职业生涯 最佳论文奖
2018/11/26
近日，微电子学院教授周鹏课题组在新型二维材料P-N结的机理以及势垒和整流比间的关系方面取得新进展。10月17日，相关成果以《二维P-N异质结中接触势垒与整流比关系分析》（“Analysis of relationship between contact barrier and rectification ratio in two-dimensional P-N heterojunction”）为题...
均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究
GaAs光阴极 三偶极子模型 表面势垒 电势分布
2016/9/1
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试，模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程，在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正，建立了三偶极子模型。新模型认为，光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成，第一偶极层由GaAs（Zn）-——Cs+偶极子组成，第二偶极层由Cs2O偶极子组成，第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成，第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果，确立了势垒中...
界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响
碳纳米管 场发射 绝缘势垒
2010/2/21
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT，来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为：Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上，从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同，理论上分析了界面势垒...