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中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应（图）
铁磁 霍尔效应 电子学器件
2024/4/16
笼目（kagome）结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构，从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中，笼目六角反铁磁Mn3X（Ga、Ge、Sn）合金具有拓扑能带结构，可以表现出大的磁电响应效应。同时，兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性，是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来，Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
中国科学院物理研究所博士生导师刘永昌研究员（图）
中国科学院物理研究所 博士生导师 研究员 自旋电子学材料 物理及器件
2024/1/10
刘永昌（Yong-Chang LAU），马来西亚籍华裔，特聘研究员，博士生导师。2016年博士毕业于爱尔兰都柏林圣三一学院物理系。2016年至2019年在日本东京大学和物质材料研究机构（NIMS）进行博士后研究并获选为日本学术振兴会外国人特别研究员。2019年至2021年在日本东北大学金属材料研究所任特任助理教授，2021年11月加入物理研究所怀柔研究部HM-03组。
中国科学院物理研究所铁磁/α-GeTe异质结中各向异性非局域磁阻尼因子（图）
自旋动力学 电子器件 凝聚态物理
2023/11/11
磁性阻尼因子是自旋动力学中的一个关键参数，它描述了电子在晶格中弛豫的速度，涉及到电子能量和动量的传递过程。这个参数对于自旋电子器件的自旋翻转时间和临界电流密度至关重要。理解和控制磁性材料的阻尼因子对于基础研究和自旋电子学器件的设计具有重要意义。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关，理论上阻尼因子应该是一个张量，但在实验上，由于电子的随机散射，阻尼因子通常表现出各向...
中国科学院物理研究所阿秒凝聚态物理——见证一门新型交叉学科的兴起（图）
凝聚态物理 光电子 半导体器件
2023/11/11
阿秒脉冲技术是本世纪激光技术及超快科学的一个重大突破，由于具有阿秒（1阿秒=10-18秒）和皮米（1 皮米 =10-12 米）量级的超高时空分辨率，阿秒脉冲2023年来已经成为在凝聚态物理、材料科学、化学生物、信息成像等领域开拓新应用、发现新现象的重要手段。2023年诺贝尔物理学奖被授予Pierre Agostini、Ferenc Krausz和Anne L’Huillier三位物理学家，以表彰他...
中国科学院物理研究所铜氧化物高温超导体中普遍存在着共存的电子-玻色模耦合作用（图）
铜氧化物 高温超导体 电子 玻色模耦合
2023/10/26
在传统超导体中，电声子相互作用对超导电性的产生起着决定性的作用。在铜氧化物高温超导体中，电子与声子或其它玻色子耦合是否存在，以及电声子耦合在产生高温超导电性中的作用仍然不清楚。在对铜氧化物高温超导体多体效应的研究中，角分辨光电子能谱发挥了重要的作用。前期对多种铜氧化物高温超导体的角分辨光电子能谱研究表明，其节点方向能带色散存在~70meV的扭折(kink)结构，在一些超导体的反节点附近能带色散存在...
中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结（图）
二维原子晶体 光电子学 电子器件
2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性，利用二维原子晶体的这些优异特性，可研制面向下一代的信息功能器件，从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件，如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结，或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
中国科学院物理研究所单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
单层二硫化钼 集成电路 半导体材料
2023/6/28
柔性电子是一种新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是一种备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能...
钠离子层状氧化物正极材料的能量密度由氧化还原电对可实现的电荷转移数和工作电压决定。为了提高能量密度研究人员提出了多种策略：例如，设计具有较多氧化还原活性中心的高镍和富锰正极材料；触发正极材料的阴离子氧化还原反应等。然而，高Ni含量会增加电池成本，富Mn材料因Mn3+的Jahn-Teller畸变具有较差的倍率性能和结构稳定性，阴离子氧化还原易造成晶格氧流失，导致电极动力学缓慢、电压滞后和电压衰减。因...
中国科学院物理研究所在“非铁电性”单层二维材料中发现铁电性（图）
非铁电性 二维材料 晶体结构 光电子学
2023/6/28
铁电性是一种由电偶极矩自发排列导致的集体极化效应，并且其极化状态可被外部电场翻转。铁电场效应晶体管被认为是下一代非易失性存储器的理想候选者，具有无损读取和快速重复写入的优势，其非易失性功能通过铁电层的双稳态极化来实现。传统铁电材料多为三维钙钛矿结构的氧化物，如BaTiO3, PbTiO3和BiFeO3等，它们通常为带隙大且迁移率低的绝缘体，难以与现有的硅基半导体器件相兼容。近年来，二维范德瓦尔斯铁...
中国科学院物理研究所专利：一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
中国科学院物理研究所专利：一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
中国科学院物理研究所专利：一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用