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全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究获进展（图）
中国科学院微电子研究所 多态 自旋轨道 磁性存储器件
2021/5/26
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作，研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。
中国科学院半导体研究所在隐藏自旋轨道耦合研究中取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 自旋轨道 耦合研究
2019/2/25
在国家自然科学基金（项目编号：61888102）等资助下，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室骆军委研究组与科罗拉多大学Alex Zunger教授、南方科技大学刘奇航教授、深圳大学张秀文教授合作在隐藏自旋轨道耦合研究中取得重要进展。研究成果以“Uncovering and tailoring hidden Rashba spin–orbit splitting in centrosym...