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IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 逆导 IGBT器件结构
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
2023年4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备正式亮相功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛。该设备依托X射线计算机层析成像（CL）技术和先进的缺陷智能检测软件算法，为IGBT模块封测提供了全新的无损检测解决方案。
实现快速故障保护的IGBT驱动电路
HCPL-316J IGBT驱动电路 故障保护
2016/5/23
针对较复杂的变流系统中，主控系统的延滞会影响IGBT模块故障保护失败的问题，设计一种快速故障保护的IGBT驱动电路。分析了现有应用方式存在HCPL-316J两个输入端中的另一个端子的功能没有得到充分利用的缺陷，通过对HCPL-316J的信号输入端Vin+、Vin-和故障信号反馈端FAULT的应用研究，改进为FAULT信号反馈回另一个输入端子，光耦芯片故障信号发出后立即封锁IGBT驱动信号，完全消除...
中国科学院微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
中国科学院微电子所 6500V超高压 IGBT研制 重要突破
2011/10/20
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
微电子所 研制 突破
2011/10/28
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所1700V IGBT研制首次流片取得突破（图）
1700V IGBT研制 流片 突破
2011/10/28
近期，由中国科学院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。