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中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院微电子研究所专利：一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法
氮化物半导体材料是半导体照明、全彩显示、电力电子等器件的核心基础材料，在其已经实现大规模产业化应用的今天，氮化物材料生长界面研究仍具有重要的科学意义，日久弥新。近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、美国北卡大学、北京大学量子材料科学中心科研团队合作，在氮化物材料生长界面生长过程研究上取得新进展。为解决上述学术争议提供了直接证据，澄清了氮化物生长...
中国科学院微电子研究所在氮化镓界面编辑方面取得新进展（图）
氮化镓 界面编辑 SiNx/GaN界面晶化
2021/3/3
近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所刘长松研究员团队、微电子所先导中心工艺平台合作在GaN界面编辑领域取得了新进展，揭示了低压化学气相沉积（LPCVD）SiNx/GaN界面晶化的形成机理，在理论上创新定义了θ-Ga2O3结构，并将1ML θ-Ga2O3薄层插入界面调控未饱和原子化学键，进而有效抑制了界面带隙电子态密度。
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室博士研究生张洪瑞、张慧等在研究员孙继荣指导下，利用磁性绝缘氧化物EuO与KTaO3组合，成功地在EuO-KTaO3界面获得了高自旋极化、高导电性的二维电子气。研究发现二维电子气表现出标志其具有明显磁有序特征的滞后磁电阻效应与反常霍尔效应，且这些效应加温至70 K时仍然可分辨。此前在LaAlO3/SrTiO3 二维电子气中发现的...
日前，北京理工大学前沿交叉科学研究院黄佳琦特别研究员和中国科学院物理研究所李泓研究员、清华大学化工系张强教授合作研究在电子/离子混合导体界面设计用以保护金属锂负极方面取得重要进展。该研究通过化学液相法在锂电极的表面构筑混合的离子导体和电子导体双连通界面来实现电池高效利用和长续航寿命，开拓了人工界面层保护电极的新思路和新方法。相关研究成果2018年9月27日在线发表于《先进材料》（Advanced ...
近期，中国科学院微电子研究所研究员刘新宇团队及合作者（中科院合肥物质科学研究院固体物理研究所王先平课题组、微电子所先导中心工艺平台等）在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。氮化镓界面态问题是III-N材料体系研究一直面临的核心问题，制约着器件的规模化和实用化。其中，深能级界面态很容易造成器件性能恶化，被研究者关注较多，目前已通过多种钝化方法（如SiNx，SiO2，AlN等）将器件界面态降低到1...
SHMFF用户在超薄单晶铅膜界面超导研究中获进展（图）
SHMFF用户 单晶铅膜界面超导 二维晶体超导体 超导电性
2018/4/19
近来，通过机械剥离成薄层的过渡族金属硫化物，作为超越石墨烯的候选材料，已成为国际研究的热点，其中强自旋轨道耦合的二维晶体超导体，为人们探索新奇量子现象提供了一个广阔的平台，如拓扑超导态的探索等。有报道指出，在单层NbSe2薄片和栅极调制的MoS2中，面内中心反演对称性的破缺产生了塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性（Zeeman-protected superconductivity）。塞曼保护超导体系...
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在III-V族半导体界面钝化及MOSFET器件领域取得重要进展。该组2篇研究文章《Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al2O3 passivation layer and formin...
界面效应用于TMD超导体系研究获进展（图）
界面效 TMD超导体系 单层TaS2纳米片
2017/7/10
近日，中国科学院上海硅酸盐研究所、上海微系统与信息技术研究所、北京大学等共同合作研究，通过化学剥离成单层TaS2纳米片，以及纳米片抽滤自组装而重新堆叠成TaS2薄膜。重新组装的TaS2薄膜打破了原母体的晶体结构，形成了丰富的均质界面，并获得了比母体材料更高的超导转变温度和更大的上临界场。相关研究成果以Enhanced superconductivity in restacked TaS2 nano...
2017年氧化物界面自旋电子学前沿研讨会（英文）
2017年 氧化物界面自旋电子学 前沿研讨会
2017/1/13
Transition metal alloys and, more recently, heavy elemental (4d and 5d) metals have become the strategic elements of spintronic devices and applications. With the recent progress in fabrication and ch...
中国科学院化学研究所电子给受体界面结构及电子转移反应研究获进展（图）
有机半导体材料 电极间界面 电子转移
2014/3/12
有机半导体材料因具有来源广泛、结构灵活可调、易于大面积化、柔韧性好等优点，近年来引起了工业界和学术界极大的关注。作为薄膜器件，有机半导体材料在应用中大多为固体薄膜状态，器件的性能不仅取决于有机分子本身的结构和性质，与有机分子与电极之间的界面结构及物理化学特性也密切相关。研究有机分子在电极表面的堆积模式，揭示有机分子与电极之间的界面电荷转移机制，探索有机分子与电极间界面的结构与性能的联系，对有机半导...
近日，中国科学技术大学李晓光教授研究小组与美国宾州州立大学的李奇教授研究组、纳布拉斯卡大学的E. Y. Tsymbal教授研究组等合作，设计并制备了一种基于多铁性界面磁电耦合的隧道结。相关研究成果发表在近期出版的Nature Materials杂志上。
提出了利用Google的Android作为车载虚拟仪表人机界面的软件开发平台。在Android系统框架上实现虚拟仪表的人机界面,阐述了如何对 Android 现有系统框架进行裁剪和调整,使系统更加符合车载虚拟仪表人机界面的要求,利用Android 提供的组件设计虚拟仪表人机界面的各个功能逻辑模块,使得模块设计更加合理,模块之间的耦合性更小。设计了基于REAL210车载仪表人机界面,结果表明,基于A...