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南京大学闫世成教授课题组揭示直接电子转移电催化反应产物选择性机制(图)
电子转移 电催化 产物选择性
2024/4/8
中国科学院福建物质结构研究所在分子内金属间电子转移研究中取得新进展(图)
分子内 金属间 电子转移
2021/3/12
电子转移及离域现象广泛存在于自然界以及物理、化学、材料和生命体系中。为了研究各种复杂体系中产生电子转移及离域的本质,人们将低核混合价化合物(即化合物中的相同金属元素具有不同氧化态)作为研究模型。深入研究混合价化合物中不同氧化态金属元素间的电子转移及离域现象并搞清楚其影响因素,不仅有利于深刻揭示复杂体系中电子转移及离域的产生机制及本质原因,同时对于指导新材料的合成和未来分子电子器件的制备均具有重要的...
中国科学院化学研究所电子给受体界面结构及电子转移反应研究获进展(图)
有机半导体材料 电极间界面 电子转移
2014/3/12
有机半导体材料因具有来源广泛、结构灵活可调、易于大面积化、柔韧性好等优点,近年来引起了工业界和学术界极大的关注。作为薄膜器件,有机半导体材料在应用中大多为固体薄膜状态,器件的性能不仅取决于有机分子本身的结构和性质,与有机分子与电极之间的界面结构及物理化学特性也密切相关。研究有机分子在电极表面的堆积模式,揭示有机分子与电极之间的界面电荷转移机制,探索有机分子与电极间界面的结构与性能的联系,对有机半导...
双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量
RSTT 高速化合物三端功能器件 三端负阻器件 热电子器件 电子转移器件
2008/10/7
采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管. 它具有RSTT典型的“Λ”形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区. 通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1~10.6,峰值电流跨导约为3e-4S. 负阻参数VP, VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.