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中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院微电子研究所在氮化镓界面编辑方面取得新进展（图）
氮化镓 界面编辑 SiNx/GaN界面晶化
2021/3/3
近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所刘长松研究员团队、微电子所先导中心工艺平台合作在GaN界面编辑领域取得了新进展，揭示了低压化学气相沉积（LPCVD）SiNx/GaN界面晶化的形成机理，在理论上创新定义了θ-Ga2O3结构，并将1ML θ-Ga2O3薄层插入界面调控未饱和原子化学键，进而有效抑制了界面带隙电子态密度。
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室博士研究生张洪瑞、张慧等在研究员孙继荣指导下，利用磁性绝缘氧化物EuO与KTaO3组合，成功地在EuO-KTaO3界面获得了高自旋极化、高导电性的二维电子气。研究发现二维电子气表现出标志其具有明显磁有序特征的滞后磁电阻效应与反常霍尔效应，且这些效应加温至70 K时仍然可分辨。此前在LaAlO3/SrTiO3 二维电子气中发现的...
近期，中国科学院微电子研究所研究员刘新宇团队及合作者（中科院合肥物质科学研究院固体物理研究所王先平课题组、微电子所先导中心工艺平台等）在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。氮化镓界面态问题是III-N材料体系研究一直面临的核心问题，制约着器件的规模化和实用化。其中，深能级界面态很容易造成器件性能恶化，被研究者关注较多，目前已通过多种钝化方法（如SiNx，SiO2，AlN等）将器件界面态降低到1...
SHMFF用户在超薄单晶铅膜界面超导研究中获进展（图）
SHMFF用户 单晶铅膜界面超导 二维晶体超导体 超导电性
2018/4/19
近来，通过机械剥离成薄层的过渡族金属硫化物，作为超越石墨烯的候选材料，已成为国际研究的热点，其中强自旋轨道耦合的二维晶体超导体，为人们探索新奇量子现象提供了一个广阔的平台，如拓扑超导态的探索等。有报道指出，在单层NbSe2薄片和栅极调制的MoS2中，面内中心反演对称性的破缺产生了塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性（Zeeman-protected superconductivity）。塞曼保护超导体系...
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在III-V族半导体界面钝化及MOSFET器件领域取得重要进展。该组2篇研究文章《Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al2O3 passivation layer and formin...
界面效应用于TMD超导体系研究获进展（图）
界面效 TMD超导体系 单层TaS2纳米片
2017/7/10
近日，中国科学院上海硅酸盐研究所、上海微系统与信息技术研究所、北京大学等共同合作研究，通过化学剥离成单层TaS2纳米片，以及纳米片抽滤自组装而重新堆叠成TaS2薄膜。重新组装的TaS2薄膜打破了原母体的晶体结构，形成了丰富的均质界面，并获得了比母体材料更高的超导转变温度和更大的上临界场。相关研究成果以Enhanced superconductivity in restacked TaS2 nano...
2017年氧化物界面自旋电子学前沿研讨会（英文）
2017年 氧化物界面自旋电子学 前沿研讨会
2017/1/13
Transition metal alloys and, more recently, heavy elemental (4d and 5d) metals have become the strategic elements of spintronic devices and applications. With the recent progress in fabrication and ch...
近日，中国科学技术大学李晓光教授研究小组与美国宾州州立大学的李奇教授研究组、纳布拉斯卡大学的E. Y. Tsymbal教授研究组等合作，设计并制备了一种基于多铁性界面磁电耦合的隧道结。相关研究成果发表在近期出版的Nature Materials杂志上。
提出了利用Google的Android作为车载虚拟仪表人机界面的软件开发平台。在Android系统框架上实现虚拟仪表的人机界面,阐述了如何对 Android 现有系统框架进行裁剪和调整,使系统更加符合车载虚拟仪表人机界面的要求,利用Android 提供的组件设计虚拟仪表人机界面的各个功能逻辑模块,使得模块设计更加合理,模块之间的耦合性更小。设计了基于REAL210车载仪表人机界面,结果表明,基于A...
弱起伏介质中界面脉冲波的互相干函数
电磁场 随机介质 界面脉冲波 相干函数
2010/5/5
在折射指数起伏具有Gauss谱的弱起伏随机介质中,设激发源为脉冲偶极子,利用Born近似和DGF方法,研究了随机介质内部无线电通信中界面脉冲波(lateral pulse wave)的互相干函数,得到了解析解,并用背景介质层的反射系数、阻抗、导纳等物理量通过超几何级数的形式表示出来。结果表明,在该通信中,互相干函数的主要贡献来源于相干场,而非相干场的贡献也是较大的。
华南理工大学射频电路与天线课件 静电学2_分界面上的边界条件。
界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响
碳纳米管 场发射 绝缘势垒
2010/2/21
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT，来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为：Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上，从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同，理论上分析了界面势垒...
非线性左右手媒质界面的Goos-Hänchen位移
左手材料 非线性效应 传播特性
2009/8/24
由均匀平面电磁波在左右手媒质界面满足的切向边界条件出发，推导了电磁波由线性传统媒质入射到非线性左手媒质时波的传播特性。利用时间延迟的方法，给出全反射情况下媒质界面非线性Goos-Hänchen位移表达式。分析了非线性左手媒质界面的侧向位移随入射角及入射波电场强度的变化关系，发现入射波场强对传输特性起决定作用:当入射波电场小于临界场强时，调节入射场强可以控制相应的侧向位移；当入射波电场大于...
维控科技Levi-705G人机界面
维控科技 Levi-705G 人机界面
2009/8/4
5.7寸单色液晶，320×240显示分辨率，16级灰度高效长寿命背光，50000小时灯管寿命32位Risc cpu，32M内存，32M本地存储。画面数目不限本地提供2个RS232/485/422接口，可同时驳接2个不同设备。