搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 中国科学院金属研究所”相关记录20条 . 查询时间(0.532 秒)
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院金属研究所专利：一种实现构件间相对运动下的电路连通装置
中国科学院金属研究所 专利 构件 相对运动 电路连通
2023/12/26
一种实现构件间相对运动下的电路连通装置,其特征在于：所述的实现 构件间相对运动下的电路连通装置包括轴承(1),能导电的润滑介质(2), 连接导线的端子一(3),连接导线的端子二(4)；连接导线的端子一(3) 与轴承(1)的内圈固定或可拆卸连接,连接导线的端子二(4)与轴承(1) 的外圈固定或可拆卸连接,能导电的润滑介质(2)填充在轴承(1)的内 外圈之间或轴瓦的内表面。本发明的优点：能实现两个相对...
中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院金属研究所专利：微电子封装中焊料凸点连接金属化层及应用
中国科学院金属研究所 专利 微电子封装 焊料凸点连接 金属化层
2023/12/18
本发明涉及微电子封装领域的微互联技术,具体地说是一种可焊性良好的铁 镍镀层作为微电子封装中焊料凸点连接金属化(过渡)层及其应用。该发明可以 广泛应用于微电子封装行业,特别适合于BGA等形式的高密度微互联技术,具 体可以作为基板或印刷电路板上焊盘金属化层、芯片倒装焊互联中的凸点下金属 化层等。本发明采用电镀的方法在铜(或镍)层上镀铁镍合金层,铁重量百分比 为5-80％,该镀层厚度及铁元素含量可以根据...
中国科学院金属研究所双重功能光电子器件研究取得新进展（图）
光电子器件 光电探测器
2023/11/11
光电探测器和神经形态视觉传感器作为两种典型的光电子器件在光信息的感知和处理方面发挥着重要作用。光电探测器具有快速的光响应和高灵敏度，适用于光学传感、通信和成像系统等领域。而神经形态视觉传感器受人眼视觉系统的启发，能够感知、存储和处理光信号。两种光电子器件各具特点且功能互补。因此，如果能在单个器件上实现光电探测器和神经形态视觉传感器的集成，并可按应用场景进行切换，无疑将大幅提高光电子器件的集成度并拓...
中国科学院金属研究所专利：一种微波强化连续酯化反应装置与工艺
中国科学院金属研究所 专利 微波 酯化反应
2023/9/27
本发明涉及微波化学、酯化反应领域,具体为一种微波强化连续酯化反应装置与工艺,解决了现有反应精馏工艺难以实现高沸点产物的反应与分离和针对慢反应需要较高的塔和较大的持液量来保证足够停留时间的实际问题。常规加热U形通道釜与微波加热腔上端通过液体分布器连接,形成一组微波强化酯化反应精馏单元。一组或多组微波强化酯化反应精馏单元立式串联,形成微波强化连续酯化反应精馏塔。物料通过常规加热U形通道釜内主要进行酯化...
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明用纯金属钽(Ta)做阳极,石墨(C)做阴极在氩气和酒精中,用电弧放电法制备碳包裹碳化钽(TaC)的纳米胶囊.将纳米胶囊压成0.1mm厚、1mm宽、约5mm长的长条块.将长条块固定在同样大小的绝缘板上.用银胶将输入电流电极,和输出电压电极固定在上面,旁边附热电偶,即成为一个微型低温超低频信号元件。如图29所示：元件的宽度为1mm；1和2为直流电流输入端；3是TaC的纳米胶囊压成0.1mm厚、1...
中国科学院金属研究所专利：纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法
中国科学院金属研究所 专利 纳米晶粒 二氧化锡 电子束
2023/9/7
本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法,可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备,属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料,通过电子束辐照氧化的物理机制,制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构,其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用,不同于以往的化学合成方法,制备过程简单,可...
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铜铟镓硒 四元半导体合金
2023/8/22
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院金属研究所 专利 力电热 多场耦合 微电子
2023/8/17
中国科学院金属研究所专利：一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
中国科学院金属研究所专利：废弃电路板多金属混合资源中铬元素的富集与分离方法
中国科学院金属研究所专利：窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法