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搜索结果: 16-30 共查到电子科学与技术 电子器件相关记录153条 . 查询时间(0.092 秒)
电子器件》是由国家教育部主管,东南大学主办的学术性刊物,1978年创刊,国内外公开发行,属大16开双月刊。旨在促进学术交流兼及信息传播,为中国的电子工业发展做出贡献。《电子器件》按栏目分为半导体器件、电光源与照明技术、电子显示技术、真空微电子学、电子元件与材料、微电子学与集成电路、传感技术、红外技术、半导体物理技术、微波电子学、光纤技术、低温电子学、真空技术、气体放电、薄膜科学与技术、表面分析技...
先进芯片是当前信息社会和人工智能时代的最底层科技基石,掌握新一代芯片的材料、工艺、器件、设计、制造是相当长时间内科技战略创新的主战场之一。由于经典的几何微缩的摩尔定律在2003年90nm节点,和等效的摩尔定律在2020年7nm节点都相继失效,硅基晶体管的微缩速度大大降低,主要原因是晶体管在多个几何维度进入了亚10nm尺度,传统半导体材料的量子效应开始显现,继续微缩遇到了很大的材料、工艺、器件结构、...
近日,山东大学微电子学院2018级本科生王震泽作为第一作者在微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron Devices发表论文“Comparative Study of Short-Channel Effects between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors”,在新型结构薄膜晶体...
进入信息时代以来,柔性电子技术取得了飞速的发展,其已经在电子皮肤、软机器人、人机交互、可穿戴设备以及植入式医疗系统等领域展示出巨大的应用潜力。然而,随着物联网的高速发展,简单的柔性电子器件已经不能满足日趋复杂的应用场景,因此多功能与高集成度的柔性电子系统亟待被研究与开发。
记者4日从中国科学技术大学获悉,该校信息学院赵刚课题组提出了一种结合纳米纤维静电纺丝和液态金属模板印刷的新型柔性电子器件制备技术。相关研究成果日前发表于最新一期国际期刊《ACS 纳米》上。
近日,第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)在线上线下联合举行,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的三篇研究论文“In-depth Understanding of Polarization Switching Kinetics in Polycrystalline Hf0.5Zr0....
氮化镓(GaN)材料所具有的宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度,使之成为功率开关器件的理想之选。GaN基功率器件凭借其耐高温、耐高压、高频和低损耗等特性大大提升电力器件集成度,简化了电路设计和散热支持,具有重要的价值和广泛的应用。然而,在GaN基电子器件中实现高耐压性能,有赖于极低的贯穿位错密度的高质量GaN基晶体材料。降低GaN材料缺陷密度、提高晶体材料质量是当前第三代半导体领域最具挑战的课...
2021年05月26日(周三)下午,王光庆教授在信电楼204开始了本次学术沙龙讲座,在一番简单的自我介绍后,王老师开始了本次讲座的主要内容。随着国家物联网产业不断发展,物联网、无线传感以及便携式低功耗器件的能量来源成了一个关键问题,越来越多的人将目光聚焦于如何对其供电。振动能量收集技术作为一项新型的技术,凭借其能量来源广泛、收集方便、绿色无污染等诸多优点,受到人们广泛关注。接下来详细介绍了相关研究...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心面研制了硅激光器阵列、硅基高速调制器阵列、硅基MUX、DEMUX、路由器和硅基锗探测器阵列,初步探索了基于CMOS技术的硅光芯片上的多功能器件集成技术,研制了硅基混合集成宽带高速光访存芯片;基于光子态电子态联合调控新原理新方案,发展了光子晶体半导体激光的全套具有自主知识产权的技术体系,应用光子晶体激光器开发的激光微推进器系统将于年底在微小卫星上完成搭...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心探究并掌握了集成芯片结构设计、制备工艺和高效封装及模块化技术,成功研制出以窄线宽半导体激光器、大功率低噪声光放大器、宽带高饱和功率探测器为代表的十余款高性能光电子集成器件产品。相关研究成果成功应用于“实践十三号卫星”、“北斗三代导航星间激光链路”、“高分多模卫星”和“片上雷达”等十余项国家级重要型号和重点任务,为国家相关重大工程的顺利实施提供了自主可...
中国香港城市大学、哈尔滨工业大学和美国麻省理工学院等机构研究人员,首次使用纳米力学方法,实现了微晶金刚石阵列的大而均匀的拉伸弹性应变。该发现显示了金刚石作为微电子学、光子学和量子信息技术中高级功能器件的主要候选材料的潜力。相关论文近日刊登于《科学》
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点,承接多项国家重点研发计划,在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料,波长<280nm的深紫外LED,输出光功率超过110mW,开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组,推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制,针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求,突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术,实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障,为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。
近日,第66届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)在线上举行,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的两篇研究论文《Deep Insights into the Failure Mechanisms in Field-cycled Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2Thin F...
广东工业大学电力电子技术课件第二章 基本的电力电子器件

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