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近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了独立双栅非晶IGZO薄膜晶体管紧凑建模的最新研究成果。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因其极低的漏电流和低温工艺等特点，近些年在柔性显示、存储器和三维集成等方面愈发到关注。独立双栅（IDG）a-IGZO TFT由于其更大的开关比和对阈值电压的调控能力成为当前工业界的选择。要进一步评...
北京大学信息科学技术学院电子学系张志勇、彭练矛教授联合课题组在碳纳米管薄膜晶体管数字电路应用的探索中取得重要进展（图）
北京大学信息科学技术学院 张志勇 彭练矛 教授 碳纳米管 薄膜晶体管 数字电路应用
2019/5/21
半导体碳纳米管被认为是构建纳米晶体管的理想沟道材料，有望推动未来电子学的发展。在过去的二十多年间，基于碳管的器件和电路得到广泛研究，并在器件物理、性能研究探索、电路制备等领域取得了巨大进展。碳基电子学的进一步发展，特别是碳基集成电路的实用化推进，很大程度上依赖于大面积制备、高半导体纯度的高质量碳纳米管材料。构建碳基集成电路的理想材料是平行排列的高密度半导体碳纳米管阵列，但目前的制备技术仍难以实现。...
近日，山东大学微电子学院纳电子中心、英国曼彻斯特大学、中科院半导体所三方合作在高速非晶氧化物半导体薄膜晶体管方面取得了进展，使非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管的截止频率超过了1GHz，相当于每秒可以工作10亿次。这是目前非晶氧化物半导体薄膜晶体管的最快纪录，达到了国际领先水平。相关成果已在线发表在IEEE Transactions on Electron Device（Vol. 65 (...
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域，印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好，而且碳纳米管构建的晶体管等电子元件具有发热量更少以及运行频率更高等优点，同时碳纳米管容易实现溶液化，分离纯化后的半导体碳纳米管印刷墨水...
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术
有机半导体 薄膜晶体管材料 器件技术
2008/9/27
国科学院长春应用化学研究所闫东航研究员承担“有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术”项目。经过三年的努力研究，在高迁移率有机半导体材料方面，实现了通过两种或两种以上有机共轭分子的层状复合、共晶的物理途径制备高迁移率有机半导体薄膜的新方法，并发展出系列迁移率能够提高一个数量级、综合性能达到非晶硅水平的有机半导体薄膜和能够降低接触电阻的晶体管器件，被美国贝尔实验室发表的进展综述作为六个子题目之一(Redu...
国内最大薄膜晶体管液晶显示器件生产线落成
薄膜晶体管 液晶显示器件 生产线
2004/10/12
科学时报2004年10月11日讯 记者近日从北京新材料发展中心获悉，总投资额12.5亿美元的京东方TFT—LCD薄膜晶体管液晶显示器件五代线，在北京亦庄经济技术开发区京东方显示科技园落户，此举标志着国内最大的TFT—LCD第五代生产线已经全面进入了设备安装和调试阶段。