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2014年7月22日，美国乔治梅森大学（George Mason University）李启亮教授应邀到华南师范大学大学城校区作了题为《纳米电子学研究——新型闪存器件、二维半导体器件和拓扑绝缘器件》的学术报告。结合从事纳米电子器件研究的丰富经验，李启亮介绍了其在相关研究领域的进展和成果。李启亮指出，一维硅纳米线应用于新型闪存，采用氧化铝（Al2O3）和氧化钽（Ta2O3）交替的多层结构作为氧化物层...