搜索结果: 1-11 共查到“电子科学与技术 金刚石”相关记录11条 . 查询时间(0.094 秒)
中国科学院金属研究所专利:一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
西安交通大学创业团队实现单晶金刚石衬底生长规模化量产
西安交通大学创业团队 单晶金刚石衬底 半导体
2022/10/25
拉伸金刚石打造下一代微电子器件(图)
拉伸 金刚石 下一代 微电子器件
2021/1/4
中国香港城市大学、哈尔滨工业大学和美国麻省理工学院等机构研究人员,首次使用纳米力学方法,实现了微晶金刚石阵列的大而均匀的拉伸弹性应变。该发现显示了金刚石作为微电子学、光子学和量子信息技术中高级功能器件的主要候选材料的潜力。相关论文近日刊登于《科学》
2018年6月9-12日,由西安交通大学和单晶金刚石电子材料与器件泛太平洋产业联盟主办的“2018单晶金刚石及其电子器件国际研讨会(2018SCDE)”召开。国家“千人计划”特聘专家、西安交通大学宽禁带半导体研究中心主任王宏兴担任此次研讨会主席。来自不同国家和地区的130余位专家学者参加会议。
脉冲光纤激光修锐青铜金刚石砂轮试验研究
激光技术 激光修锐 光纤激光器 超景深3维显微系统 青铜结合剂金刚石砂轮
2014/3/31
为了寻求超硬磨料砂轮的修锐新方法,采用脉冲光纤激光径向辐照,对青铜结合剂金刚石砂轮进行了修锐试验研究。理论分析了脉冲激光修锐青铜结合剂金刚石砂轮的基本原理;借助超景深3维显微系统和粗糙度测试仪,获得了脉冲光纤激光烧蚀青铜结合剂轮烧蚀凹坑的表面形貌和深度,总结了激光平均功率、脉冲重复频率和离焦量等参量对烧蚀效果的影响规律;根据试验结果选择最佳工艺参量(Pm= 20W, f=70kHz,Δ=0.0mm...
纳米金刚石薄膜的二次电子发射特性
高平均功率自由电子激光 纳米金刚石膜 微波等离子体化学气相沉积方法
2009/8/21
简要介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程,并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置,得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数,取得了二次发射系数为15的满意结果,表明纳米金刚石薄膜作为二次电子发射材料具有很好的应用前景。
MCM金刚石复合多层基板技术
MCM 金刚石基板
2009/3/2
800W/mK。应用前景:多芯片组件在缩小电子产品体积、提高产品性能方面起了重要作用。MCM中的大功率器件通常工作于恶劣环境中,较高的环境温度更将对MCM带来不良影响。因此,应该采用必要的技术措施降低MCM内部的温度。一是要降低内热阻,二是要加装外部散热器。加装外部散热器虽可有效地降低温度,但不利于组装密度的提高。只有从研制新基板这一方向来着手,才能解决MCM的散热问题。2000年初信息产业部电子...
微波法生长高质量金刚石膜及产业化研究
金刚石膜 微波法
2008/11/12
金刚石膜具有优异的力学、电学、光学、声学和热学性质,在自然界还很难找到这样集如此多优异性能于一身的材料,它的人工合成是当今新材料领域的研究热点。本成果是在承担武汉市风险投入科技项目“微波法生长高质量金刚石膜及产业化研究”的过程中,利用微波等离子体的一系列优点,将含碳气体和氢气组成的低压混合气体,分解离化后产生由含碳基团和原子氢等组成的等离子体,促使构成金刚石的金刚石碳键的形成,从而在基体表面沉积获...
用脉冲紫外激光预处理提高刀具的金刚石涂层的附着强度
脉冲紫外激光 脉冲激光消融 金刚石涂层刀具 附着强度
2008/4/28
采用脉冲紫外激光(XeCl,308nm)表面消融预处理方法以硬质合金为衬底制备了金刚石涂层刀具。利用压痕法对涂层结合强度进行了测试,得到了最佳预处理工艺条件。采用碳化硅增强铝合金材料对制备的金刚石涂层刀具进行了实际切削性能实验。实验结果表明:脉冲紫外激光表面消融预处理方法的采用对刀具的金刚石薄膜涂层附着强度的提高有很大的帮助。
金刚石窗口冷却Yb3+∶YAG DPSSL设计
2007/8/20
针对高功率二极管重复率抽运的V型非稳腔Yb3+∶YAG激光头,提出了利用金刚石窗口冷却和直接水冷相结合的复合冷却设计.在YAG片的抽运面进行直接水冷,同时在激光提取面利用金刚石窗口冷却介质.金刚石优异的导热性能不仅能够有效地冷却激光介质,还能消除横向的温度梯度,解决了高功率激光器冷却和高功率抽运的矛盾.模拟结果表明对掺杂10 at %厚度为1.6 mm的Yb3+∶YAG片在抽运功率密度为20 kW...
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
2007/7/28
专著信息
书名
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
语种
中文
撰写或编译
作者
徐燕,翁惠民,叶邦角,周海洋,朱晓东,王海云,彭成晓,周先意,韩荣典
第一作者单位
出版社
核技术
出版地
出版日期
年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进