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近日，山东大学微电子学院2018级本科生王震泽作为第一作者在微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron Devices发表论文“Comparative Study of Short-Channel Effects between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors”，在新型结构薄膜晶体...
山东大学信息学院陈杰智教授课题组在微电子器件领域顶级国际会议(IEDM 2021)发表闪存存算一体芯片等三项最新研究成果（图）
山东大学信息学院 陈杰智 微电子器件 顶级国际会议 IEDM 闪存存算一体 芯片
2021/12/16
近日，第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在线上线下联合举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的三篇研究论文“In-depth Understanding of Polarization Switching Kinetics in Polycrystalline Hf0.5Zr0....
拉伸金刚石打造下一代微电子器件（图）
拉伸 金刚石 下一代 微电子器件
2021/1/4
中国香港城市大学、哈尔滨工业大学和美国麻省理工学院等机构研究人员，首次使用纳米力学方法，实现了微晶金刚石阵列的大而均匀的拉伸弹性应变。该发现显示了金刚石作为微电子学、光子学和量子信息技术中高级功能器件的主要候选材料的潜力。相关论文近日刊登于《科学》
沈阳工业大学2020年硕士研究生入学考试加试自命题微电子器件工艺考试大纲。
电子科技大学微电子器件课件5-9 MOSFET的结构及发展方向。
电子科技大学微电子器件课件5-6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性。
电子科技大学微电子器件课件5-5 MOSFET的直流参数与温度特性。
电子科技大学微电子器件课件5-4 MOSFET的亚阈区导电。
电子科技大学微电子器件课件5-3 MOSFET的输出特性。
电子科技大学微电子器件课件5-2 MOSFET的阈电压。
电子科技大学微电子器件课件3-10 功率增益和最高振荡频率。
电子科技大学微电子器件课件3-9 高频小信号电流电压方程与等效电路。