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近日,2023年度广东省教育厅科研平台和项目及省教育科学规划课题(高等教育专项)拟立项名单公示,我院“高性能集成电路与系统重点实验室”获评广东省高校重点实验室。高性能集成电路与系统重点实验室(下称“实验室”)下设四个研究室,包括“第三代半导体电子功率器件工艺研究室”、“智能SoC芯片设计研究室”、“半导体传感器研究室”和“集成电路芯片应用研究室”,重点围绕第三代半导体与集成电路工艺、元器件、芯片设...
2023年8月1日-2日,由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术),模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业,共计60余位集成电路工程师参加。
南方科技大学深港微电子学院副教授周菲迟团队与中科院半导体所程传同副研究员、黄北举研究员团队合作在高性能自整流忆阻器及神经形态计算领域取得重要进展。相关研究以“A Self-Rectifying Synaptic Memristor Array with Ultrahigh Weight Potentiation Linearity for a Self-Organizing-Map Neural ...
2022年9月23日上午,由上海集成电路行业协会指导,芯信安电子科技有限公司承办,大宁集团全力协办的芯信安-上海高性能测试实验室在大宁中心广场宣布开幕。该实验室于今年6月正式启动,作为集成电路产业生态中的重要环节入驻大宁,将形成强大的产业链聚合效应,对推动测试设备生产商、芯片设计公司、封测公司等在大宁集聚发挥重大作用。
记者4日从中国科学技术大学获悉,该校信息学院赵刚课题组提出了一种结合纳米纤维静电纺丝和液态金属模板印刷的新型柔性电子器件制备技术。相关研究成果日前发表于最新一期国际期刊《ACS 纳米》上。
近日,南方科技大学国家示范性微电子学院潘权课题组在高性能通信芯片设计领域取得新进展,本次研究成果包括两款高速光通信芯片,相关成果分别以“A 58-dBΩ 20-Gb/s inverter-based cascode transimpedance amplifier for optical communications”[1]为题被Journal of Semiconductors (JOS) 接收...
近日,南方科技大学国家示范性微电子学院潘权课题组在高性能通信芯片设计领域取得突出成果,本次研究成果包括高性能功率放大器和高性能注入锁定分频器。相关成果发表在集成电路设计领域高水平期刊 IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (TCAS-II)、International Journal of Electronics ...
无机塑性热电材料可以打破传统无机脆性热电化合物和有机柔性热电化合物的禁锢,实现超常的室温变形能力和优良的热电性能,并在柔性电子、异形热源余废热回收发电等领域具有广阔的应用前景。前期研究中,中国科学院上海硅酸盐研究所发现了在室温具有金属一样延展性的半导体材料-Ag2S(Nature Materials,2018)和范德华单晶塑性半导体InSe(Science, 2020),开发出n型高性能无机柔/塑...
近日,南方科技大学深港微电子学院汪飞课题组在新型驻极体加工工艺及微型能量采集器领域取得最新进展。针对传统驻极体材料,在高温及高湿度环境下电荷稳定性不佳的问题,研究团队提出了一种喷涂的方法,用于沉积驻极体材料提升它在高温及高湿度恶劣环境下的电荷充电能力及稳定性,并成功在MEMS静电能量采集器上得到了应用。该文章于2021年2月9日以标题” Spray-coated electret material...
2020年10月27日公布,中大物理系研究团队近日研发了一种全新的“万能墨水”,配合单步激光直接写入技术,可以大大简化高性能芯片的生产过程。生产高性能芯片的关键是掌握精准工艺,以制作微米及纳米等级的金属结构。由于技术要求十分高,导致制作成本高昂、过程繁琐和费时。中大物理系助理教授杨森率领的研究团队最近研发了一种全新的“万能墨水”,配合单步激光直接写入技术,只需一些简单仪器便可掌握精准工艺,制作高性...
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离与转移技术,将LiNbO3单晶薄膜与高声速、高导热的支撑衬底异质集成(如图1所示),与美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校合作,研制出高性能声表面波(SAW)器件。声表面波谐振器的谐振频率约1.95 GHz,导纳比高达80.1 dB,机电耦合系数高达27.8%,Q值接近2000,谐振器的综合性能品质优值(FoM)高达530,为已报道的最高值 (如图...
中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,对“新一代超强超短激光综合实验装置”中的200TW/1Hz激光进行性能升级,并利用此激光驱动产生了高质量高稳定性电子。该研究为高峰值功率飞秒激光系统的建设提供了技术指导,为台式化X射线自由电子激光器的实现提供了原理验证。相关成果发表于《光学与激光技术》(Optics and Laser Technology)。
集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中,半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构,是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。已公开的理论计算和实验结果均...
为了实现钆基造影剂弛豫率的突破,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室董慧课题组、丁古巧课题组提出借助石墨烯量子点的表面局域超强酸微环境实现钆基造影剂弛豫率的突破。实验及理论计算结果表明,石墨烯量子点表面局域超强酸微环境能显著提高造影剂磁性中心附近的水交换速率,进而提高造影剂的弛豫率。在商用高场磁共振系统(7 T)下该造影剂弛豫率为127.0 mM-1 s-1,高于已有报道...
面向集成电路学术前沿和国家重大战略需求,开展射频集成电路与系统创新性研究,同时发展相关联的高性能数字及数模混合信号电路与系统,进行集成电路设计高层次人才培养,通过产学研结合方式促进科研成果的转化和产业化,从而使实验室实现可持续发展。

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