搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 高性能”相关记录73条 . 查询时间(0.284 秒)
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎(图)
CMOS 数据转换器
2023/11/28
南方科技大学深港微电子学院周菲迟课题组在Nano Letters发表高性能自整流忆阻器及神经形态计算应用新成果(图)
周菲迟 Nano Letters 自整流 忆阻器 神经形态计算 神经网络
2023/11/29
可重构回收的高性能柔性电子器件问世
高性能 柔性电子器件
2022/1/7
记者4日从中国科学技术大学获悉,该校信息学院赵刚课题组提出了一种结合纳米纤维静电纺丝和液态金属模板印刷的新型柔性电子器件制备技术。相关研究成果日前发表于最新一期国际期刊《ACS 纳米》上。
南方科技大学深港微电子学院潘权课组在高性能通信芯片设计领域取得研究进展(图)
南方科技大学深港微电子学院 潘权课题组 高性能通信芯片设计 集成电路设计 Microelectronics Journal
2022/10/18
无机塑性热电材料可以打破传统无机脆性热电化合物和有机柔性热电化合物的禁锢,实现超常的室温变形能力和优良的热电性能,并在柔性电子、异形热源余废热回收发电等领域具有广阔的应用前景。前期研究中,中国科学院上海硅酸盐研究所发现了在室温具有金属一样延展性的半导体材料-Ag2S(Nature Materials,2018)和范德华单晶塑性半导体InSe(Science, 2020),开发出n型高性能无机柔/塑...
南方科技大学深港微电子学院汪飞课题组在Microsystem&Nanoengineering发表新型驻极体加工工艺及高性能微型能量采集器论文(图)
南方科技大学深港微电子学院 汪飞课题组 Microsystem&Nanoengineering 新型驻极体 加工工艺 高性能 微型能量采集器
2022/10/18
2020年10月27日公布,中大物理系研究团队近日研发了一种全新的“万能墨水”,配合单步激光直接写入技术,可以大大简化高性能芯片的生产过程。生产高性能芯片的关键是掌握精准工艺,以制作微米及纳米等级的金属结构。由于技术要求十分高,导致制作成本高昂、过程繁琐和费时。中大物理系助理教授杨森率领的研究团队最近研发了一种全新的“万能墨水”,配合单步激光直接写入技术,只需一些简单仪器便可掌握精准工艺,制作高性...
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离与转移技术,将LiNbO3单晶薄膜与高声速、高导热的支撑衬底异质集成(如图1所示),与美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校合作,研制出高性能声表面波(SAW)器件。声表面波谐振器的谐振频率约1.95 GHz,导纳比高达80.1 dB,机电耦合系数高达27.8%,Q值接近2000,谐振器的综合性能品质优值(FoM)高达530,为已报道的最高值 (如图...
中国科学院上海光学精密机械研究所利用高性能200TW/1Hz激光驱动产生高质量高稳定性电子(图)
中国科学院上海光学精密机械研究所 高性能 200TW/1Hz 激光驱动 高质量 高稳定性 电子
2020/7/16
中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,对“新一代超强超短激光综合实验装置”中的200TW/1Hz激光进行性能升级,并利用此激光驱动产生了高质量高稳定性电子。该研究为高峰值功率飞秒激光系统的建设提供了技术指导,为台式化X射线自由电子激光器的实现提供了原理验证。相关成果发表于《光学与激光技术》(Optics and Laser Technology)。
北京大学信息科学技术学院电子学系张志勇-彭练矛课题组在用于高性能电子学的高密度半导体阵列碳纳米管研究中取得重要进展(图)
北京大学信息科学技术学院 电子学 张志勇 彭练矛 高性能 电子学 高密度 半导体 阵列碳 纳米管
2020/5/25
集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中,半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构,是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。已公开的理论计算和实验结果均...
为了实现钆基造影剂弛豫率的突破,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室董慧课题组、丁古巧课题组提出借助石墨烯量子点的表面局域超强酸微环境实现钆基造影剂弛豫率的突破。实验及理论计算结果表明,石墨烯量子点表面局域超强酸微环境能显著提高造影剂磁性中心附近的水交换速率,进而提高造影剂的弛豫率。在商用高场磁共振系统(7 T)下该造影剂弛豫率为127.0 mM-1 s-1,高于已有报道...