搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 效应”相关记录251条 . 查询时间(0.438 秒)
中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应(图)
铁磁 霍尔效应 电子学器件
2024/4/16
笼目(kagome)结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构,从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中,笼目六角反铁磁Mn3X(Ga、Ge、Sn)合金具有拓扑能带结构,可以表现出大的磁电响应效应。同时,兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性,是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来,Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 (或开关比)是衡量隧道结性能的核心指标。2005年,理论模型提出,隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应(图)
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构,它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出,隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
中国科学院半导体所观测到各向异性平面能斯特效应(图)
半导体所 永磁电机 自旋电子学 薄膜器件
2023/8/1
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料,在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域,利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。