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中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院微电子研究所专利：高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
中国科学院微电子研究所 专利 高稳定性 非晶态 金属氧化物 TFT器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授李毅达、林龙扬、周菲迟等课题组和南科大交叉研究院沈美研究助理教授和深圳江波龙电子股份有限公司合作完成，在金属氧化物半导体器件领域取得多项研究成果，包括源漏缺陷调控低温ALD ZnO 薄膜晶体管迁移率、HfO2钝化层改善ALD ZnO 薄膜晶体管稳定性以及基于氧化铪合金的高性能忆阻器（HfZrO、HfZnO RRAM）。相关成果分别发表在国际微电子期刊IEEE...
金属氧化物室温气敏材料的结构调控及传感机理
金属氧化物半导体 气体传感材料 室温传感
2022/3/18
室温气敏材料能耗低、稳定性好、安全性高,并且有助于简化传感器的器件结构,具有很好的实际应用前景。开发具有优异室温传感性能的气敏材料成为近年来传感领域的研究热点。金属氧化物半导体材料来源广泛、环境友好、结构调控灵活,在室温气体传感性能方面取得一定的进展。本文介绍了金属氧化物气敏材料的发展历程及气体传感机理,详述了各种具有室温气敏性能的金属氧化物纳米结构,重点讨论构建金属氧化物室温传感性能的有效策略和...
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展（图）
金属氧化物 半导体 基等离激元学
2020/12/18
最近，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心罗毅教授、张群教授、江俊教授研究团队在基于金属氧化物半导体材料的等离激元学研究方面取得突破性进展，采用新发展的电子-质子协同掺氢策略，实现了类金属的超高自由载流子浓度，从而获得强且可调的等离激元效应。研究成果以“Hydrogen-Doping-Induced Metal-Like Ultrahigh Free-Carrier Concentrat...
近日，复旦大学化学系邓勇辉教授受美国化学会权威综述性学术期刊《化学研究述评》（Accounts of Chemical Research）杂志主编Cynthia J. Burrows教授邀请撰写综述文章《富含sp2杂化碳的嵌段共聚物导向合成具有优异气敏特性的介孔金属氧化物》（“sp2-Hybridized Carbon-Containing Block Copolymer Templated Sy...
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5～3.3 V,...
近期，中科院合肥物质科学研究院合肥智能机械研究所研究人员与中国科技大学微尺度国家实验室李群祥教授合作，从纳米金属氧化物晶面的角度设计对重金属离子的高灵敏电化学传感界面，其研究结果不仅提出了从源头上，即从晶面的角度、在原子级别上设计高灵敏电化学敏感界面的新思路，而且揭示了纳米材料增强电化学响应的本质所在。该研究成果近期被Nature出版集团的《科学报告》（Sci. Rep. 3, 2886; DOI...
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
脉冲功率 高电压 半导体开关 Marx发生器 金属氧化物半导体场效应管
2010/4/7
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比，用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）替代气体火花隙开关，用二极管替代电阻，由于可重复频率运行，所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同，在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节，以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外，实验对开关进行光纤隔离，而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器，这不仅有利于保...
多值互补金属氧化物半导体电路的开关级设计理论
半导体器件 逻辑电路
2008/9/19
该项研究提出了适用于MOS器件设计的代数系统-传输函数理论。在该理论中应用开关变量与信号变量分别描述电路中开关元件(MOS管)的开关状态与电压信号，并以此为出发点建立了CMOS电路开关级的代数系统。它能全面地描述电路在开关级的工作状态，因引可用于指导多值CMOS电路开关级的设计。作为对比，在传统的布尔代数与post代数中，变量通常用于描述电路中的信号(如高低电平)，而变量之间的与、或、非等基本运算...