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电子科学与技术 工艺波动耦合
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中国科学院新疆理化技术研究所专利: 一种总剂量效应与
工艺波动耦合
的电路仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
总剂量效应
工艺波动耦合
电路仿真
2024/1/3
本发明涉及一种总剂量效应与
工艺波动耦合
的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联
工艺
参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同
工艺
角晶体管总剂量效应模型生成、不同
工艺
角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与
工艺波动
参数相关,总剂量辐射效应与
工艺波动
存在
耦合
效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与
工艺波动耦合
,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种总剂量效应与
工艺波动耦合
的电路仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
总剂量效应
工艺波动耦合
电路仿真
2023/12/7
本发明涉及一种总剂量效应与
工艺波动耦合
的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联
工艺
参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同
工艺
角晶体管总剂量效应模型生成、不同
工艺
角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与
工艺波动
参数相关,总剂量辐射效应与
工艺波动
存在
耦合
效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与
工艺波动耦合
,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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