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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法，用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元；采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块，SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流；数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励，并采集待测数字集成电路输出...
第四届电子元器件辐射效应国际会议召开（图）
西安交通大学 电子元器件 辐射效应
2021/6/10
近日，第四届电子元器件辐射效应国际会议（4thInternational Conference on Radiation Effects of Electronic Devices，ICREED-2021）在西安召开。大会荣誉主席为西安电子科技大学郝跃院士，大会主席为北京微电子研究所赵元富研究员。西安交通大学贺朝会教授、西北核技术研究院陈伟研究员、哈尔滨工业大学李兴冀教授、美国Vanderbilt...
SiC-pn结二极管α粒子辐射效应
6H-SiC 二极管 辐射效应
2010/2/21
为了研究6H-SiC材料制作的pn结二极管探测器的辐照特性，采用蒙卡程序模拟研究了4.3和1.8 MeV能量的α粒子在辐照探测器中的物理过程。介绍了二极管探测器的工艺制作和物理参数，根据其结构建立了仿真模型，利用蒙卡程序进行了α粒子照射的仿真研究。研究结果直观地反映了α粒子在探测器中的输运情况。α粒子在探测器中的辐射效应主要是电离作用，电离产生的电子-空穴对形成一定的分布。给出了α粒子在探测器中的...
反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应
反熔丝FPGA 延时电路 辐射效应
2009/2/18
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构，介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法，给出了试验测量结果。分析表明：高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态，因此存在功能失效的可能性。但就整体而论，反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路。
AlteraSRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应
SRAM型现场可编程门阵列 总剂量效应 辐射
2010/2/26
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系，研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列（FPGA）器件在60Co γ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明：器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同；不同模块随总剂量的变化关系相似，不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致；总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数。