搜索结果: 151-165 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4481条 . 查询时间(0.3 秒)
中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结（图）
二维原子晶体 光电子学 电子器件
2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性，利用二维原子晶体的这些优异特性，可研制面向下一代的信息功能器件，从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件，如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结，或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
2023年7月10日，由苏州矩阵光电有限公司投资建设的基于化合物半导体的集成式磁传感芯片项目奠基开工。
上海微系统所等实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
上海微系统所 六方氮化硼 光电子学器件
2023/7/16
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
宁波材料所在复杂机电系统的集成优化设计方法上取得进展（图）
机电系统 集成优化 动态模型
2023/7/13
相比序列式设计方法，集成优化设计方法可以加速复杂系统的迭代设计流程，获得更好的整体性能。将装备的机械、电气和控制参数集总到动态模型的反馈增益矩阵中，并运用最优控制理论进行设计，可以使产线在局部快速重构下保持最优性能。但受机械结构、驱动方案、控制器架构等因素影响，动态模型的反馈增益矩阵存在结构约束，无法运用黎卡提方程来求解，制约了最优控制理论在系统集成优化设计中的应用。
助力数字孪生，中国原子能科学研究院实现核设施三维场仿真及实时动态展示（图）
数字孪生 核设施 三维场仿真
2023/9/13
数字化转型是核工业高质量发展的关键内涵。加快数字中国建设，对全面建设社会主义现代化国家，全面推进中华民族伟大复兴具有重要意义和深远影响。近日，原子能院核安全研究所成功建立了基于反应堆厂房内的三维辐射场仿真及实时动态展示方法，可用于在核设施场所内开展设计优化和预测、辐射安全评估、应急响应演练、教育培训等工作，有力提升了现场辐射防护的智能化、安全化水平，为设施运行、检测维修和应急过程中的人员剂量管理，...
凭借轻巧、灵活和自发光等优点，有机发光二极管（OLED）被广泛认为是主流的第三代显示技术。而有机电致发光材料是OLED的关键组分之一。能够通过高能级通道迅速发生逆系统间跃迁（RISC）过程的“热激子”材料在OLED界备受关注。有研究显示，通过热激子路径可以获得理论上的100%内部量子效率（IQE）和低滚降速率。然而，红色热激子材料在聚集态和团簇态下仍不可避免地遭受聚集引起的淬灭（ACQ），导致相对...
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...
中国电子科技集团公司43所三代半导体封装工艺实现航空航天领域国内首次应用
中国电科43所 半导体 封装工艺 航空航天
2023/11/12
近日，中国电科43所“活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装”先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先进水平。该工艺应用于三代半导体领域，43所在此技术基础上进一步开发的多款AMB基板一体化封装产品，实现航空航天领域的国内首次应用。
中国科学院研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
二硫化钼低 集成电路 二维半导体
2023/7/4
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
长飞光纤光缆股份有限公司拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤 第三代 半导体 功率器件
2023/11/12
2023年6月26日，长飞光纤光缆股份有限公司（以下简称“长飞光纤”）发布公告，其子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中，长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
2023年6月29日，国家重要领域设计自动化技术创新中心（以下简称“EDA国创中心”）揭牌仪式及理事会第一次会议在南京举行。江苏省副省长胡广杰，南京市市长陈之常，东南大学校长黄如，江苏省科技厅厅长徐光辉，南京市委常委、南京江北新区党工委书记杨学鹏以及中心共建单位、会员单位等代表参加活动，活动由东南大学常务副校长吴刚主持。
我国星地激光高速通信业务化应用实验取得成功（图）
星地 激光高速通信 业务化应用
2023/6/29
近日，中国科学院空天信息创新研究院利用自主研制成功的500mm口径激光通信地面系统与长光卫星技术股份有限公司所属吉林一号MF02A04星开展了星地激光通信实验，通信速率达到10Gbps（每秒10G比特），所获取的卫星载荷数据质量良好，可满足高标准业务化应用需求。本次实验标志着我国已成功实现星地激光高速通信的工程应用，星地通信速率由Gbps迈入10Gbps时代。
中国科学院物理研究所单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
单层二硫化钼 集成电路 半导体材料
2023/6/28
柔性电子是一种新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是一种备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能...