搜索结果: 1-9 共查到“电子科学与技术 二维半导体”相关记录9条 . 查询时间(0.139 秒)
中国科学院基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展（图）
垂直架构 二维半导体 铁电多值存储器
2022/11/28
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内...
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，其受到静电场屏蔽效应大大减弱，利用门电压可以对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，这使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在...
近年来，随着芯片制程逐渐逼近物理极限，面对硅材料的固有限制，芯片先进工艺尺寸微缩如何继续？芯片功能如何扩展？而得益于二维（2D）材料的原子级厚度和表面无悬挂键的结构特性、优异的光电及量子效应等，2D材料被广泛认为在后摩尔技术中扮演关键角色。那么，如何充分利用2D半导体来弥补硅基技术的不足？鉴于此，浙江大学徐明生教授、杨德仁院士和复旦大学周鹏教授团队为2D半导体融合于硅基技术提出了单片「硅上」（硅作...
中国科学院物理研究所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用（图）
多层MoS2 外延晶圆 二维半导体
2022/9/14
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室研究员张广宇课题组国际上最早发展了蓝宝石上高定向外延晶圆...
中国科学院半导体研究所二维半导体磁性掺杂研究取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 二维半导体 磁性掺杂
2017/12/20
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材料可能在保持原有半导体光电特性的同时具有磁性。近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验研究员...
中国科学院上海微系统与信息技术所研究员丁古巧课题组独立发现新型碳基二维半导体材料C3N，相关研究成果日前在线发表于《先进材料》。近年来以石墨烯为代表的二维新材料广受关注，尝试使用二维半导体材料替代传统硅材料已成为最重要的科技前沿之一，但由于石墨烯没有本征带隙，且现有打开带隙的技术途径存在不足，石墨烯替代硅显得极为困难，因而探索新型二维半导体材料，特别是碳基材料，依然任重道远。
国际顶尖期刊报道南京理工大学曾海波团队新型二维半导体研究进展
南京理工大学 曾海波 半导体
2015/1/20
近日，我校纳米光电材料研究所曾海波团队(研究所网页http://ion.njust-smse.com/)，与美国University of Puerto Rico陈中方教授、南京师范大学李亚飞教授合作，在全新二维半导体设计方面取得重要突破，相关成果以“Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal–Semiconductor and Indir...
中国科学院半导体研究所发现一种新的二维半导体材料——ReS2（图）
半导体 二维半导体材料 ReS2
2014/2/19
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中，在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展，发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上，即Nature Communication, 2014,5, Article number:3252, doi:...
中国科学院半导体研究所等在二维半导体异质结研究中取得新进展（图）
半导体 二维半导体异质结
2013/10/14
近日，中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中，与美国劳伦斯伯克利国家实验室（LBNL）汪林望博士研究组合作，在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展。相关成果发表在9月30日美国化学学会主办的《纳米快报》（Nano Letters）上。