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上海微系统所在300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究方面取得重要进展（图）
大硅片晶体 数值模拟 集成电路
2023/12/3
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，而且在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
中国科学院力学所提出提高可拉伸电子器件弹性延展性的新策略（图）
力学所 电子器件 弹性延展
2023/6/1
可拉伸电子器件被广泛应用于健康监测、康复医疗、智能工业及航空航天等领域。无机可拉伸电子器件的关键技术创新在于通过力学结构设计实现弹性拉伸性，对任意复杂曲面实现共形贴附/包裹，且能维持稳定的电学性能。例如，“岛-桥”结构是可拉伸电子器件中的常见结构。其中，功能性元器件置于不可变形的“岛”上，互联导线形成“桥”并提供整体结构的弹性延展性。实现可拉伸电子器件弹性延展性的策略至关重要。
中国科学院力学研究所提出提高可拉伸电子器件弹性延展性的新策略（图）
可拉伸 电子器件 弹性延展性 新策略
2023/6/2
可拉伸电子器件被广泛应用于健康监测、康复医疗、智能工业及航空航天等领域。无机可拉伸电子器件的关键技术创新在于通过力学结构设计实现弹性拉伸性，对任意复杂曲面实现共形贴附/包裹，且能维持稳定的电学性能。例如，“岛-桥”结构是可拉伸电子器件中的常见结构。其中，功能性元器件置于不可变形的“岛”上，互联导线形成“桥”并提供整体结构的弹性延展性。实现可拉伸电子器件弹性延展性的策略至关重要。
中国电子工业标准化技术协会智能拍摄系统工作委员会（以下简称“中电标协智能拍摄系统工委会”）成立大会与揭牌仪式于2023年5月27日在中关村论坛期间隆重召开。首批会员单位代表及个人共同见证了这一重要时刻。
中国科学院微电子所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得新进展（图）
硅基氮化镓 电力系统 功率器件
2023/8/21
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，并在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
近期，浙江大学微纳电子学院前沿所的徐杨教授、俞滨教授和Srikrishna Chanakya Bodepudi特聘研究员以“后摩尔硅光电子学用石墨烯”为题，在WILEY出版了一本英文专著。基于半导体硅的制造技术已经涵盖了整个集成电路和电子工业的各个方面，并且将继续在人工智能和神经形态计算等新兴领域占据主导地位。其中，电子器件的小型化是推动摩尔定律发展的主要路径。然而这种追求高效率，高性能，小器件面...
为积极响应2023年四川省科技活动周，围绕“热爱科学崇尚科学”的主题，成都工业学院电子工程学院携手学校科技处和成都市电子学会，2023年5月24日下午14:30在允明楼1332教室举行了由电子科技大学副教授赵明华博士主讲的“无线系统中的微波射频设计与应用”讲座，这也是四川省科技活动周学术大讲堂的活动之一。
中国科学院物理研究所在“非铁电性”单层二维材料中发现铁电性（图）
非铁电性 二维材料 晶体结构 光电子学
2023/6/28
铁电性是一种由电偶极矩自发排列导致的集体极化效应，并且其极化状态可被外部电场翻转。铁电场效应晶体管被认为是下一代非易失性存储器的理想候选者，具有无损读取和快速重复写入的优势，其非易失性功能通过铁电层的双稳态极化来实现。传统铁电材料多为三维钙钛矿结构的氧化物，如BaTiO3, PbTiO3和BiFeO3等，它们通常为带隙大且迁移率低的绝缘体，难以与现有的硅基半导体器件相兼容。近年来，二维范德瓦尔斯铁...
金属有机-无机杂化钙钛矿材料因其出色的光电性质在近年来被认为是最具潜力的第三代光伏材料之一。目前，实验室制备的钙钛矿太阳能电池的光电转化效率已与单晶硅太阳能电池相当。目前大多数高效率钙钛矿太阳能电池的制备是在实验室中通过旋涂法制备，然而在诸如刮涂、狭缝涂布、丝棒涂布等高通量的弯液面涂膜方法中，由于无法像旋涂中一样通过反溶剂迅速除去湿膜中的溶剂，所制备的钙钛矿薄膜形貌质量往往欠佳。因此，开发一种无需...
中国电子元件行业协会敏感元器件与传感器分会走访热敏企业（图）
敏感元器件 传感器 热敏企业 电子器件
2023/11/17
敏感元件是电子器件的基础，PTC（正温度系数）、NTC（负温度系数）热敏元件是敏感元件中重要的类别，其应用领域十分广泛，渗透到日常生活、工农业技术、军事科学、通讯、宇航等各个领域，PTC热敏电阻元件是当今较为热门、前景十分广阔的应用技术。
中国科大等实现微孔框架离子膜内近似无摩擦的离子传导（图）
微孔框架 离摩擦 离子传导
2023/5/18
中国科学技术大学教授徐铜文/杨正金团队与合作者，针对离子膜普遍存在的“传导性-选择性”相互制约关系，提出了一类新型三嗪框架聚合物离子膜。基于刚性通道的限域效应和通道内的“离子配位”机制，这类膜材料展示出近无摩擦的离子传递，实现了水系有机液流电池快充，且电池充放电电流密度达到500 mA/cm2，是当前普遍报道值的5倍以上。2023年4月26日，相关研究成果以《三嗪框架聚合物膜内近无摩擦的离子传导》...
南方科技大学深港微电子学院参加ISEDA2023（图）
南方科大 深港微电子 ISEDA 模拟电路
2023/11/29
2023年5月8日至11日，首届International Symposium of EDA(ISEDA 2023)在中国南京举办。会议由EDA开放创新合作机制(EDA²)和中国电子学会电子设计自动化专委会共同主办，北京大学、东南大学、清华大学及西安电子科技大学协办，IEEE/CEDA、ACM/SIGDA、国家自然科学基金委员会信息科学部(NSFC)、中国电子学会(CIE)、“后摩尔新器...
中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展（图）
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测，但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷，使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力，在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力，被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料（如典型代表Mn3Sn）集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...