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2023年12月3日至6日,中国国际大学生创新大赛(2023)全国总决赛在天津大学举行,由我院蔡志匡教授指导的“华芯智测—国产化测试EDA领跑者”项目获高教主赛道全国金奖。这是我院在该项重大赛事中首次摘金,实现了零的突破。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利:制备微米级分散体的集成芯片及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利:集成芯片及其装置;以及制备微米级分散体的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院专利:基于人体信道的通信芯片
钟高余,复旦大学材料科学系副教授,研究方向:有机半导体材料与器件物理;二次离子质谱。
王洋,复旦大学材料科学系青年研究员,研究方向:n型聚合物半导体材料分子设计合成及其在有机场效应晶体管中的应用;本征柔性的聚合物半导体材料的设计合成及在柔性电子中的应用;新颖的共轭聚合物合成方法研究。
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法,主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量,辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值,并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值,最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除,从而大幅提...
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法,主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异,无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场,其中,电源模块和测试模块位于辐射场外,辐照模块位于辐射场内,可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测,进而获取过程数据;同时,辐照模块可放置N个待测芯片,且各待测芯片相互独立,由此可对待测芯...
本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法,用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元;采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块,SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流;数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励,并采集待测数字集成电路输出...
萨支唐(Chihtang Sah),美国微电子学家。生于中国北京。50年代初毕业于美国伊利诺大学,1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。1959-1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理,1964-1968年任美国伊利诺大学教授。1988年至今,担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。美国国家工程院院士(1986),台湾“中研院”院士(19...
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家重点基础研究发展规划项目(973)。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重大项目。

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