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AlteraSRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应
SRAM型现场可编程门阵列 总剂量效应 辐射
2010/2/26
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系,研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列(FPGA)器件在60Co γ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明:器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同;不同模块随总剂量的变化关系相似,不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致;总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数。