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半导体技术 半导体晶体管
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种基于浮栅结构
半导体晶体管
的辐射剂量测量方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
浮栅结构
半导体晶体管
辐射剂量测量
2023/12/4
本发明提供一种基于浮栅结构
半导体晶体管
的辐射剂量测量方法,主要解决现有技术无法对浮栅结构
半导体晶体管
的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测
晶体管
进行充电后测量,辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测
晶体管
在辐射后与辐射前阈值电压的差值,并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值,最终计算得到待测
晶体管
阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除,从而大幅提...
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