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中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
苏州纳米所梁伟团队合作在1μm外腔超窄线宽半导体激光研究领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光 原子量子
2024/4/10
1μm波长的窄线宽激光在原子量子、引力探测和光钟等领域都有重要应用。梁伟团队和南京大学、华东师范大学合作，取得1μm窄线宽外腔半导体激光研究进展。本研究中，通过使用中空的高品质因子FP光腔和自注入锁定技术，实现了紧凑的1μm超窄线宽半导体激光，其洛伦兹线宽约41Hz，和稳频光梳拍频线宽为510.3Hz,1s频率稳定性达到10^-11，同时可通过PZT实现快速的数百MHz的频率调制。
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光器
2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器，体积较大，可靠性差。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展（图）
氮化镓基 光电器件 数据处理
2023/10/17
近年来，大数据、互联网和人工智能的快速发展，对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一，可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息，兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发，人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关注，有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2024/2/29
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：基于纳米电极的静电电容器及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明用纯金属钽(Ta)做阳极,石墨(C)做阴极在氩气和酒精中,用电弧放电法制备碳包裹碳化钽(TaC)的纳米胶囊.将纳米胶囊压成0.1mm厚、1mm宽、约5mm长的长条块.将长条块固定在同样大小的绝缘板上.用银胶将输入电流电极,和输出电压电极固定在上面,旁边附热电偶,即成为一个微型低温超低频信号元件。如图29所示：元件的宽度为1mm；1和2为直流电流输入端；3是TaC的纳米胶囊压成0.1mm厚、1...
中国科学院金属研究所专利：纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法
中国科学院金属研究所 专利 纳米晶粒 二氧化锡 电子束
2023/9/7
本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法,可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备,属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料,通过电子束辐照氧化的物理机制,制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构,其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用,不同于以往的化学合成方法,制备过程简单,可...
“一滴水里观沧海，一粒沙中看世界”已然成为集成电路的真实写照，厘米见方的二维平面上集成数以亿万计的晶体管，堪称人类科技史上的奇迹。
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
上海微系统在超导3D纳米桥结的基础研究方面取得重要进展（图）
超导器件 纳米 电路
2023/12/3
最近，中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒研究员、王镇研究员的研究团队在超导约瑟夫森结物理与电学表征基础研究领域取得了重要进展。研究团队通过微纳加工与测量表征技术相结合，成功实现了超导3D纳米桥结电流相位关系的精确测量，并揭示了约瑟夫森桥结的电流相位关系随着其几何尺寸缩放的变化规律，为进一步深入研究超导约瑟夫森结的物理与应用提供了有效的实验与分析表征方法。相关成果于2023年8月13日以题为“...
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法