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当前人工智能等技术的迅猛发展对传统电子器件处理海量信息带来了空前的挑战。自旋电子学采用凝聚态体系中电子的自旋自由度作为信息载体进行操控, 有望成为改变未来电子学和信息技术发展方向的革命性技术之一。2024年来,多频段、高场强、高重频的超快激光技术的发展为实现飞秒尺度的自旋操控开拓了崭新方向。另一方面,二维磁性材料在平衡态和非平衡态下展示出一系列新奇的物性与物态,深入研究其中的超快磁性动力学过程对未...
钙钛矿材料光电性能优异,具有吸收系数高、光电特性可调、双极性输送能力优异的特点,同时兼具材料用量少、组件价格低廉、投资成本低的优点,这使钙钛矿光伏在应用场景上更有潜力。钙钛矿太阳能电池(pero-SCs)作为一种前景广阔的光伏技术受到广泛研究,其中载流子的提取和转移对器件性能至关重要。
2024年5月11日,中国科学技术大学微电子学院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展。针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐射复合损失大等问题,该课题组成功构建钙钛矿同质结以促进光生载流子的分离和提取,并结合第一性原理计算进一步分析缺陷形成机制。光伏器件效率和稳定性的同步提升证明同质结构筑策略在锡基钙钛矿太阳能电池领域的应用潜力,也为其他钙钛矿光电器件的结...
二维范德华铁磁材料的发现为研究二维极限下的基础磁学,操纵自旋相关现象以及实现低功率的二维自旋电子学器件提供了前所未有的机遇。最近几年,二维铁磁性材料得到了广泛关注,目前已有多种二维本征铁磁材料被发现和研究,但大多数铁磁材料的居里温度都低于室温,极大地限制了在低维自旋电子学器件中的应用。最近新发现的二维Fe3GaTe2材料具有高的居里温度(342K-365K)以及强的垂直磁各向异性,在室温二维自旋电...
2024年5月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》(Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing)为题,发表在《自然》(Nature)上。
近期,我院先进半导体器件与光电集成实验室的张祥老师和罗林保教授团队在蓝光危害检测方面取得重要进展,成功实现了多种便携式蓝光危害实时检测系统,相关成果发表在半导体器件领域的著名期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices。
传统计算系统,从材料、器件到电路、架构再到容错系统和算法设计,都在竭力避免随机性。然而,随着后摩尔时代的来临以及学界对非冯诺依曼架构兴趣的提升,人们越来越倾向于在计算架构中拥抱随机性而非本能地排斥之,特别是在天然具有随机性特征的计算中,如蒙特卡罗抽样、贝叶斯神经网络、贝叶斯推理网络、模拟/量子退火算法加速器,乃至新兴的生成式人工智能等等。
近日,上海科技大学信息科学与技术学院后摩尔与集成系统中心多篇成果被2024年ACM/IEEE设计自动化国际会议(ACM/IEEE Design and Automation Conference,DAC)接收录用。DAC有超过60年的举办历史,是(芯片)电子设计自动化领域的重要学术会议,在半导体与集成电路设计领域有着深远影响。本届DAC将在美国旧金山召开。
在国家自然科学基金项目(批准号:T2321003、T2222005)等资助下,复旦大学彭慧胜教授团队在高性能纤维电池以及电池织物的研究中取得新突破,相关研究成果以“基于高分子凝胶电解质的高性能纤维电池(High-performance fibre battery with polymer gel electrolyte)”为题,于2024年4月24日发表于《自然》(Nature)杂志。论文链接:h...
在超短超强激光与物质相互作用中,会产生短脉宽、高能量的电子,通常被称为“超热电子”。超热电子的产生和输运是激光高能量密度物理的重要基本问题之一。超热电子可以激发很宽波段的超快电磁辐射,也可以驱动离子加速,快速加热物质,作为惯性约束核聚变“快点火”过程中的能量载体。各种次级辐射和粒子源的性质、等离子体加热和能量沉积过程与超热电子的时间、空间和能量特征及演化动力学息息相关。经过多年研究,人们对超热电子...
2024年6月26日,微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在高密度低应力硅通孔(TSV)研究方面取得新进展。三维(3D)集成技术是制造低功耗、高性能和高集成密度器件的必备技术,有望突破摩尔定律限制。TSV作为3D集成的核心技术,具有缩短互连路径和减小封装尺寸的优势。目前,高密度TSV互连在近传感器和传感器内计算、混合存储器立方体、高带宽存储器(HBM)、互补金属氧化物半导体(CMO...
美国阿贡国家实验室科研人员开发出一项名为氧化还原门控的新技术,可以控制电子在半导体材料中的运动。科研人员设计了一种装置,可以通过在充当电子门的材料上施加电压来调节电子从一端到另一端的流动。当电压达到某个阈值时,材料将开始通过栅极从源氧化还原材料注入电子到沟道材料中。该技术可实现在低电压下大幅调节电流,从而改善电子设备的效率。此外,氧化还原门控技术还可用于开发新型低功耗半导体或量子器件,如类脑高效率...
国家纳米科学中心刘新风课题组与北京大学材料科学与工程学院张青课题组、清华大学物理系熊启华课题组,实现了室温下连续域束缚态(BICs)中激子极化激元凝聚,在低功率注入下获得了具有小发散角和长程相干性的涡旋光束,并探索了不同离散BIC激子极化激元模式间的光学开关效应,为激子极化激元器件在集成光子与拓扑光子学领域的实际应用奠定了基础。研究结果以Exciton Polariton Condensation...
在国家自然科学基金项目(批准号:61774152)资助下,中国科学院半导体研究所光电子材料与器件重点实验室杨晓红研究员团队在InGaAs/InP单光子雪崩二极管阵列串扰抑制领域取得进展。研究成果以“载流子抽取结构在InGaAs/InP单光子雪崩二极管阵列中的高串扰抑制(High crosstalk suppression in InGaAs/InP single-photon avalanche ...
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命,在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力,其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础,而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。

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