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2023年4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备正式亮相功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛。该设备依托X射线计算机层析成像（CL）技术和先进的缺陷智能检测软件算法，为IGBT模块封测提供了全新的无损检测解决方案。
中国科学院微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
中国科学院微电子所 6500V超高压 IGBT研制 重要突破
2011/10/20
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
微电子所 研制 突破
2011/10/28
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所1700V IGBT研制首次流片取得突破（图）
1700V IGBT研制 流片 突破
2011/10/28
近期，由中国科学院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。
近期，由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。
微电子所成功研制国内首款可产业化的IGBT芯片（图）
可产业化 芯片
2011/11/4
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。
中国科学院微电子研究所成功研制国内首款可产业化IGBT芯片（图）
中国科学院 国内首款 IGBT芯片
2010/4/2
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。