搜索结果: 151-165 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4486条 . 查询时间(2.321 秒)
深圳先进院等设计新型“人工光细胞”构建方法(图)
人工光细胞 催化 半导体材料
2023/8/6
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成一种新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新的路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
深圳先进院等设计了一种新型“人工光细胞”构建方法(图)
人工光细胞 半导体材料 细胞集成
2023/8/19
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成一种新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新的路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
28项电子元器件相关专利荣获第二十四届中国专利奖
电子元器件 专利 中国专利奖
2023/11/12
华南理工大学广州国际校区全面交付暨集成电路学院揭牌仪式举行(图)
华南理工大 广州 集成电路
2024/4/26
中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结(图)
二维原子晶体 光电子学 电子器件
2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性,利用二维原子晶体的这些优异特性,可研制面向下一代的信息功能器件,从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件,如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结,或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
南京大学电子学院在二维半导体的氧化动力学研究上取得进展(图)
二维半导体 氧化动力学 南京大学电子学院
2024/5/6
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控(图)
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
上海微系统所等实现六方氮化硼纳米带的带隙调控(图)
上海微系统所 六方氮化硼 光电子学器件
2023/7/16
六方氮化硼(hBN)是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体,其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料,同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同,hBN纳米带(BNNR)可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测,横向电场可以使BNNRs带隙变窄,甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而,如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
宁波材料所在复杂机电系统的集成优化设计方法上取得进展(图)
机电系统 集成优化 动态模型
2023/7/13
相比序列式设计方法,集成优化设计方法可以加速复杂系统的迭代设计流程,获得更好的整体性能。将装备的机械、电气和控制参数集总到动态模型的反馈增益矩阵中,并运用最优控制理论进行设计,可以使产线在局部快速重构下保持最优性能。但受机械结构、驱动方案、控制器架构等因素影响,动态模型的反馈增益矩阵存在结构约束,无法运用黎卡提方程来求解,制约了最优控制理论在系统集成优化设计中的应用。
助力数字孪生,中国原子能科学研究院实现核设施三维场仿真及实时动态展示(图)
数字孪生 核设施 三维场仿真
2023/9/13
数字化转型是核工业高质量发展的关键内涵。加快数字中国建设,对全面建设社会主义现代化国家,全面推进中华民族伟大复兴具有重要意义和深远影响。近日,原子能院核安全研究所成功建立了基于反应堆厂房内的三维辐射场仿真及实时动态展示方法,可用于在核设施场所内开展设计优化和预测、辐射安全评估、应急响应演练、教育培训等工作,有力提升了现场辐射防护的智能化、安全化水平,为设施运行、检测维修和应急过程中的人员剂量管理,...
中国电子科技集团公司43所三代半导体封装工艺实现航空航天领域国内首次应用
中国电科43所 半导体 封装工艺 航空航天
2023/11/12
中国科学院研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路(图)
二硫化钼低 集成电路 二维半导体
2023/7/4
柔性电子是新兴技术,在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中,柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中,对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料,单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性(面内)和柔性(面外),是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而,推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力,降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...