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中国科学院金属研究所专利：纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法
中国科学院金属研究所 专利 纳米晶粒 二氧化锡 电子束
2023/9/7
本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法,可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备,属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料,通过电子束辐照氧化的物理机制,制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构,其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用,不同于以往的化学合成方法,制备过程简单,可...