搜索结果: 106-120 共查到“电子科学与技术 元件”相关记录146条 . 查询时间(0.04 秒)
针对新型HfO2栅介质改进的四元件电路模型
二氧化铪 双频C-V法 四元件电路模型
2009/1/16
针对超薄HfO2栅介质MOS电容，提出改进的四元件小信号等效电路模型，修正了双频C-V法，增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数．结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线，消除了高频时的频率色散现象，而且曲线更加接近理想C-V曲线．通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式．实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度．
日美公司制成世界最小静态随机存取存储器元件
随机存取 存储器元件
2008/12/19
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司2008年12月17日联合发表新闻公报说，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。
新一代高性能片式元件与关键技术
高性能片式元件 关键技术
2008/12/18
片式电子元件是一大类重要的电子信息产品，是现代电子信息技术的重要基础。目前全世界片式电子元件的年需要量在一万亿只以上。进入21世纪以来，电子信息技术的高速发展不断向元件技术提出新的要求，使得片式电子元件成为一个创新十分活跃的高技术领域，高性能、小型化、低成本、多功能、集成化成为片式元件发展和升级换代的重要方向。我国是电子元件生产大国，但高端材料和和关键技术主要依赖国外。本项目旨在发展具有自主知识产...
据日经BP社报道，住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si（硅）Ti（钛）等金属组成的高温熔液中制备SiC（碳化硅）单晶的熔液生长法，生长速度已接近实用水平。SiC与Si相比，由于更加耐高压、耐高温，因此可制造小型高效的功率元件。如果将混合动力车和电动汽车使用的功率元件由Si换成SiC制造的话，便可减少能源消耗量和CO2排放量。要达到实用阶段，需实现大口径、结晶缺陷较少的单晶晶圆。
半导体元件及其集成技术研究--湿敏元件专用电路研制
半导体元件 湿敏元件 传感器 电路设计
2008/11/3
该电路系高分子湿敏电容和Pt薄膜热敏电阻专用的测量变送电路。所有进口和国产的商品高分子湿敏电容配上该电路，再适当调节匹配基准电容后，均可组装成有4-20ma标准信号输出的二线制湿度传感器；所有Pt100或其他Pt薄膜热敏电阻接上该电路，亦可组成二线制温度传感器。
新型热压敏薄膜电路元件
薄膜电路 热压敏 薄膜元件
2008/8/1
热压敏薄膜电路是80年代后期才发展起来的一种新型电路连接材料。它以粘接的方式将电子器件和电路连接起来，广泛应用于液晶显示器件（LCD）的连接，比如：液晶电视、笔记本电脑、计算机外设、PDA、数字相机等领域。它的主要特点是：不需要焊接，操作简单方便，只需150℃左右热压7～10秒即可牢固地粘在需要连接的元器件上，实现电器件之间的导通，可满足电路精细间距的需要，可使显示器件更薄型化、轻型化。该公司研究...