搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 元件”相关记录17条 . 查询时间(0.02 秒)
一种温差电元件发电性能测试系统和样品台（图）
温差电元件 发电 性能测试 半导体测试
2023/11/27
本实用新型涉及半导体测试技术领域，具体涉及一种温差电元件发电性能测试系统和样品台。一种温差电元件发电性能测试系统，用于同时对两种不同类型的待测温差电元件进行测试，包括电源单元，检测单元，样品台和气氛单元，气氛单元用于至少容置待测温差电元件以提供测试气氛，样品台用于夹持待测温差电元件，电源单元用于与样品台和待测温差电元件组成温差发电回路，其中样品台包括集温器和在集温器两侧设置的电极，集温器与电极存在...
中国电子元件行业协会古群常务副理事长一行考察中国电科芯片研究院（图）
古群 电科芯片院 芯片
2023/11/12
2023年10月26日，中国电子元件行业协会名誉理事长温学礼、常务副理事长古群、秘书长黄森、标准管理部主任章怡和秘书刘翠一行利用在重庆参加中国电子元件行业协会压电晶体元器件及材料分会2023年会之际，前往中国电科芯片研究院考察指导工作。
2023年9月20-22日，中国电子元件行业协会混合集成电路分会（简称“中电元协混合分会”）第九届会员大会、第二十二届全国混合集成电路学术会议暨微系统研讨会在苏州市成功召开，中电元协古群常务副理事长出席会议，中电元协混合集成电路分会会员代表、电子科技大学、华中科技大学、中南大学、中国电子科技集团公司信息科学研究院、航天科工微系统技术有限公司、西安空间无线电技术研究所、山东航天电子技术研究所、德国贺...
韩国研究财团发布消息称，成均馆大学研究组发明了可以体现三进位制新概念的超节能半导体元件和电路技术。该技术突破了目前二进位制数字信号传送的计算机处理技术界限。该技术与目前不同材料垂直结合方式、电流特性和电路方式完全不同，是一项独创的研究成果，为半导体元件与电路的研究开辟了新的方向，具有重要意义。
第24届奈米元件技术研讨会
第24届 奈米元件技术 研讨会
2017/3/9
第24届「奈米元件技术研讨会」将于2017年4月28日于奈米电子研究大楼国际会议厅举行，届时将邀请相关领域内之教授、专家和硕博士研究生共同参与，发表研究成果，提出奈米元件、感测器、高频及检测技术等最新的想法与理念，期待能促进奈米元件技术相关学界、业界人士在各领域之交流。
此次研讨会分为专题演讲、论文海报二大部分。内容将涵盖奈米电子元件与新型材料应用、感测器与前瞻异质整合平台、高频技术与高功率应用...
日本研发在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术
氮化镓晶片 GaN元件功率半导体关键技术 GaN晶片 晶片
2017/2/24
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN晶片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第四章 集成电路中的无源元件。
西安理工大学半导体集成电路课件第3章 集成电路中的无源元件（二）
西安理工大学 半导体集成电路 课件 第3章 集成电路中的无源元件
2014/8/26
西安理工大学半导体集成电路课件第3章 集成电路中的无源元件（二）。
西安理工大学半导体集成电路课件第3章 集成电路中的无源元件（一）
西安理工大学 半导体集成电路 课件 第3章 集成电路中的无源元件
2014/8/26
西安理工大学半导体集成电路课件第3章 集成电路中的无源元件（一）。
浅析元件参数对外腔半导体激光器输出谱宽影响
半导体激光器 外腔 谱线压缩
2016/8/17
半导体抽运碱金属蒸气激光器（DPAL）需大功率窄线宽泵浦源，但市售半导体激光器输出线宽远远大于碱金属原子吸收谱宽，难以实现有效泵浦，因此需采用Littrow 外腔法压窄半导体激光器输出谱宽。Littrow 外腔系统中元件参数的选择直接影响大功率半导体激光器输出谱宽。为此文中沿入射光线方向构建外腔压窄模型，利用球面镜替代柱面镜，分析了微柱透镜阵列、光学系统和光栅元件对外腔输出谱宽的影响，模拟结果为微...
讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n+p结构气敏元件. 理论分析表明,该新型气敏元件具有高的选择性,同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度. 通过实验,获得了性能较好的n+p结构酒敏元件.
针对新型HfO2栅介质改进的四元件电路模型
二氧化铪 双频C-V法 四元件电路模型
2009/1/16
针对超薄HfO2栅介质MOS电容，提出改进的四元件小信号等效电路模型，修正了双频C-V法，增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数．结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线，消除了高频时的频率色散现象，而且曲线更加接近理想C-V曲线．通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式．实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度．
日美公司制成世界最小静态随机存取存储器元件
随机存取 存储器元件
2008/12/19
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司2008年12月17日联合发表新闻公报说，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。