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韩国研究财团发布消息称,成均馆大学研究组发明了可以体现三进位制新概念的超节能半导体元件和电路技术。该技术突破了目前二进位制数字信号传送的计算机处理技术界限。该技术与目前不同材料垂直结合方式、电流特性和电路方式完全不同,是一项独创的研究成果,为半导体元件与电路的研究开辟了新的方向,具有重要意义。
超级电容器是提高电容器容量的核心部件。与二次电池相比,超级电容器能量密度(充电量)较小,但可以瞬间提高功率(锂电池的五倍)。韩国高丽大学研究组利用传统纸张开发出了快速提高输出性能的超级电容器原件。研究组开发出新的单分子配体层状自组方法,在织物材质表面非常均匀、稠密地涂上纳米大小的金属及金属氧化物粒子,成功制作出金属纸电极和柔软性较好的纸质超级电容器。
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)晶片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术,GaN晶片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化,将处于世界优势地位。
安富利公司旗下安富利电子元件被模拟电源管理技术的领导厂商美国国家半导体公司评为“亚太区年度最佳分销商”。安富利电子元件在整体销售增长率、需求创造和客户支持水平等多项指标考核中位居榜首,从而在该奖项的评选中胜出。安富利杰出的技术支持也得到美国国家半导体公司的高度赞赏,比如定时的参考设计以及针对基建设备和消费类应用的高清晰度多媒体接口(HDMI)解决方案等。
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司2008年12月17日联合发表新闻公报说,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。
HP Labs(惠普实验室)的研究者制造了一种重要的新电子组件概念的第一个可工作的原形,这种电子组件可能使即开型PC(instant-on PCs)成为可能,即PC开机时不再需要”系统加载“的等待过程。 HP Labs的研究者已经制造了一种重要的新电子组件的第一个可以工作的原形,这种新组件被叫做”忆阻器“,或记忆电阻器(memory resistor)。在此之前,这种电路元件还只是被加...
韩国科学技术院研究人员2007年3月13日宣布,他们已成功开发出世界最小的8纳米级三维非挥发性闪存元件

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