搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 技术”相关记录5591条 . 查询时间(1.011 秒)
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
南京工业大学柔性电子（未来技术）学院成功获批“柔性电子学”本科专业
柔性电子学 南京 工业大学
2024/4/16
近日，教育部发布了《教育部关于公布2021年度普通高等学校本科专业备案和审批结果的通知》（教高函〔2021〕14号），南京工业大学柔性电子（未来技术）学院成功获批“柔性电子学”本科专业，标志着南京工业大学柔性电子（未来技术）学院学科建设和人才培养进入新阶段。
成都工业学院电子工程学院电子科学与技术专业介绍
电子科学 专业介绍
2024/4/8
成都工业学院电子工程学院专业是2016年获批招生的本科专业，2020年获得学士学位授权，该专业为适应国家和四川省新型电子材料、新能源器件等产业快速发展的人才需求，培养以新型锂电、光电材料制备、测试以及新能源电池管理为主要特色，同时具备一定电路设计与单片机应用能力的复合型、应用型工程技术人才。是我校与通威太阳能、京东方科技集团股份有限公司合作的校企共建专业。
半导体材料是芯片工业的基础，新型半导体材料的研发为提升和扩展半导体芯片的功能带来了更多机遇。近年来，随着器件性能的快速提升，有机无机杂化铅卤素钙钛矿材料已成为公认极具前景的新型半导体材料。
中国科学技术大学在高频声表面波器件领域取得重要突破（图）
高频声 表面波器件 叉指换能器
2024/3/4
自1965年叉指换能器（Interdigital Transducer, IDT）和声表面波（Surface Acoustic Wave, SAW）技术被发明以来，声表面波（SAW）谐振器就被广泛应用于2 GHz以下的中、低频无线通信，并形成了每年超过百亿美元的滤波器和传感器产业。随着无线通信发展进入5G和6G，标准所定义的新频段都在3 GHz以上，带宽都在500 MHz以上，这就使得传统的SAW...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 铅 四元系 负温度系数 热敏电阻器
2024/1/16
本发明涉及一种含铅四元系负温度系数热敏氧化物粉体合成及电阻器的制备方法，该方法以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料，采用氧化物固相法制备粉体材料，粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器，该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点，其材料常数为B25/50=3485-4106K，B值允许偏差：±1%，R25℃=70-630Ω，阻值允许偏差：±3...
南京邮电大学集成电路科学与工程学院召开芯粒技术专题研讨会（图）
芯粒 芯片设计 集成电路 南京邮大
2024/2/4
为深入探讨当前芯粒技术发展面临的重大挑战与产业布局架构和产业化面临的前沿问题等，2024年1月13日，芯粒技术研讨会于学院浦口办学点举行。中国移动研究院金鹏，清华大学王垚，南京大学林军，通富微电子股份有限公司高国华，中国电子科技集团公司第五十八研究所林晓会等出席会议，研讨会由学院院长蔡志匡主持。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种高温厚膜热敏电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 厚膜 热敏电阻
2024/1/15
本发明涉及一种高温厚膜热敏电阻的制备方法，该方法是将硝酸镧、乙酸锰和硝酸铝分别溶解在冰醋酸中，得到纯清溶液，将溶液蒸发得到凝胶，再将凝胶加热、高温晶化，得到热敏粉体，再将热敏粉体和乙基纤维素按照一定的质量比混合、研磨，再将研磨好的粉体和松油醇混合、搅拌得到均匀的厚膜浆料，最后将浆料印刷在Al2O3衬底上、热处理，得到厚膜热敏电阻。制得热敏电阻样品膜厚为25μm，满足电子设备结构的微型化要求，而在8...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种中继式不间断电源
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 中继式 不间断电源
2024/1/15
本实用新型涉及一种中继式不间断电源，该电源是由外置电源、开关、电量显示报警器、电磁继电器、变压模块、充电模块、开关、内置电源、保险管和用电器组成，该电源的外置电源电量充足时保证用电设备正常工作；当外置电源电量不足，电量指示报警器开始报警，此时拆卸外置电源，电磁继电器切换到内置电源供电；更换电量充足的外置电源后，电磁继电器自动切换到外置电源供电，同时外置电源对内置电源进行充电；整个过程用电设备可不间...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本实用新型涉及一种可调型电子设备恒电压梯度保护器，该电压梯度保护器是由内置电源、供电测试模块、高低压同步转换模块、显示模块、高压继电器、低压继电器，高压压敏电阻、低压压敏电阻，高压电压比较器和低压电压比较器组成，该保护器桥接于外界电源和用电设备之间，外界电源电压稳定在电压梯度内时保证用电设备正常工作。当外界电源电压过低时，低压压敏电阻发生变化，导致低压电压比较器发生反转，显示模块中的低压信号指示灯...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...