搜索结果: 1-6 共查到“知识库 电子科学与技术 场效应晶体管”相关记录6条 . 查询时间(0.243 秒)
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,ID
氟离子敏感场效应晶体管的研究
场效应晶体管 氟离子敏感场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管
2009/10/20
本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。
基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术
MOSFET 高压脉冲 感应叠加
2009/8/21
以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11.5 Ω时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率。
国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
晶体管 国产MOS场效应
2008/12/11
阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。
结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
结型场效应 晶体管 霍耳效应 理论分析
2008/10/9
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势分布与磁灵敏度. 结果表明:当器件宽长比(w/L)(?)1—2时,典型的电压性磁灵敏度为～10mV/V·kG,电流性磁灵敏度为 10~2-10~3mV/mA·kG.据此,提出了一种灵敏度高、有良好工作稳定性及噪声性能的霍耳器件——结型场...