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中国科学院微电子研究所专利:一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳基 场效应晶体管
2023/7/6
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展(图)
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响,使电子计算机掀起了一场变革,人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展,传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点,接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性,通过控制电荷的定向移动(电流)的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性,使其定向移动(自旋...
单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世(图)
单原子层沟道 鳍式场效应 晶体管 问世
2020/3/6
20世纪40年代以来,以微电子技术为主导的信息技术革命极大推动了科学技术的发展和社会的变革。过去几十年来,微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展,按照摩尔定律的预测,集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。目前集成电路中可实现的最小加工尺寸为3-5纳米。当前,随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限,进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。