搜索结果: 1-9 共查到“电子科学与技术 场效应晶体管”相关记录9条 . 查询时间(0.149 秒)
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院微电子研究所专利：具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳基 场效应晶体管
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
芯片是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家安全的关键之一。在传统CMOS微缩可能面临终结的关键时刻，以新材料、新结构和新原理为主要特征的超低功耗微电子器件技术，有望提供集成电路发展的新途径，是突破当前集成电路芯片领域存在的瓶颈的有效途径。其中，利用单个分子构建光电子元器件得到了广泛的关注。单分子器件可以将器件尺寸缩小至单分子水平，可以作为存储器、二极管、场效应晶体管及开关等，其中单分子...
