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中国科学院大连化学物理研究所实现半导体光催化硼化反应（图）
半导体 光催化 硼化反应
2023/8/24
近日，中国科学院大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组研究员戴文团队，在多相光催化硼化方面取得新进展。该团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂，利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用，通过选择性硼化反应，实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳（杂）环的高值转化，合成了硼氢化和硼取代产物。
复旦大学材料科学系方晓生课题组在Nature Reviews Materials期刊发表低维宽禁带半导体用于紫外光探测器的研究综述（图）
方晓生 低维宽禁带 半导体 紫外光探测器
2023/11/21
精确的紫外光检测是现代光电技术的重要组成部分，现阶段的紫外光探测器主要基于宽禁带半导体，例如，III-V半导体。然而，传统的宽禁带半导体在实际应用中达到了瓶颈，难以兼顾高集成度和高柔性。有鉴于此，低维宽禁带半导体由于具有合适的紫外光吸收范围、可调节的光电性能以及良好的衬底兼容性等优势，在多种紫外光工作场景中展现出巨大的应用潜力。
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铜铟镓硒 四元半导体合金
2023/8/22
中国科学院金属研究所专利：一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
中国科学院金属研究所专利：窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法
天津市集成电路行业协会组织企业参加第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会
天津市 集成电路 半导体 展示会
2023/11/28
2023年8月9日，第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会(CSEAC) 在无锡太湖国际博览中心拉开帷幕！天津市集成电路行业协会组织众望赛米控（天津）科技有限公司、天津太航金属材料有限公司等多家企业参展。
中国科学院半导体所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
半导体所 永磁电机 自旋电子学 薄膜器件
2023/8/1
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
天津市集成电路行业协会参展参会2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会
天津市 半导体大会 博览会 半导体
2023/11/28
2023年7月19-21日，天津市集成电路行业协会携多家会员企业组团参展参会了在南京举行的2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会。参加本次博览会的天津市集成电路行业协会成员单位有：飞腾信息技术有限公司、井芯微电子技术（天津）有限公司、天津天芯微系统集成研究院有限公司、芯灵通（天津）科技有限公司、天津市菲莱科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所等6家单位，分别展示了各自在半导体领域的...
2023年压电半导体理论与应用前沿论坛在洪湖顺利召开（图）
中国力学学会 半导体 湖北省力学学会
2023/11/9
由湖北省力学学会主办，华中科技大学航空航天学院承办，武汉力学学会、工程结构分析与安全评定湖北省重点实验室协办的“2023年压电半导体理论与应用前沿论坛”于2023年7月16-18日在湖北洪湖召开。石家庄铁道大学刘金喜教授，郑州大学赵明皞教授、卢春生教授，北京科技大学魏培君教授，南京航空航天大学钱征华教授，浙江大学张春利教授等应邀出席，共有来自湖北、河北、河南、北京、江苏、浙江、湖南、广东、四川等多...
2023年7月14日，以“洞见·破局·新发展——以产教融合促进经济社会和人才高质量发展”为主题的2023（首届）产教融合发展大会在河北雄安举办。此次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，来自全国各地高校、职业院校、行业企业、社会组织等产教融合各参与主体的代表700余人参会。南京邮电大学副校长、学院院长郭宇锋教授受邀参加并发言。
南京大学电子学院在二维半导体的氧化动力学研究上取得进展（图）
二维半导体 氧化动力学 南京大学电子学院
2024/5/6
二维半导体在后硅电子学、扭角物理、能谷电子学等领域具有广阔的应用前景。然而，原子级厚度这一特征也使得二维半导体的环境稳定性普遍较低，人们对其氧化动力学仍缺乏精准的定量理解。主要的研究挑战在于：1）缺乏高效率的表征技术； 2）影响材料老化的参数较多，系统研究的工作量巨大。迄今，大多数研究依赖于微区表征技术，如拉曼光谱、原子力显微镜或透射电子显微镜，通常而言这些技术的检测空间有限、表征效率低下、或者难...
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法