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搜索结果: 1-7 共查到电子科学与技术 碲镉汞相关记录7条 . 查询时间(0.072 秒)
碲镉汞半导体材料的光学和电学性质研究。
窄能隙半导体碲镉汞光学常数研究。
参杂碲镉汞半导体光学性质的红外调制光谱研究。
为了准确测量中红外高能激光系统的远场功率密度时空分布等参数,分析了室温光导型碲镉汞(HgCdTe)探测器在环境温度变化和光热效应情况下存在的探测器光敏元温升等热问题,并分别给出了应对措施.从HgCdTe的电学参数经验公式和光导型探测器工作原理出发,分析了暗电阻和响应率与光敏元工作温度的相关性.建立了计入接触热阻和自然对流效应的光导型HgCdTe探测器热分析模型,并对模型进行了实验验证.分析了光敏元...
窄禁带半导体红外焦平面列阵是当代红外光电子物理和技术学科的前沿。研究了碲镉汞薄膜材料的生长及掺杂,解决了HgCdTe薄膜材料分子束外延制备中若干关键技术问题,制备了各种波段的碲镉汞薄膜材料,其性能参数符合红外焦平面列阵制备的需要,达到国际一流水平;研究了碲镉汞薄膜材料的表征,解决了国际上碲镉汞研究中若干重要疑难问题,发现多项实验规律,提出多个描述碲镉汞物理参数的表达式和表征材料性能的新方法;研究了...
该项目解决了红外焦平面列阵碲镉汞薄膜材料分子束外延制备的关键问题,生长出高质量样品。在窄禁带半导体物理和碲镉汞薄膜材料表征研究方面解决了若干重要疑难问题,建立了组分梯度分布的外延HgCdTe薄膜自由载流子吸收理论模型;首次直接测量了碲镉汞中重要杂质缺陷的能级位置和光电行为;建立了HgCdTe体材料和薄膜材料中各类载流子的迁移率谱分析方法;直接观察到了HgCdTe晶格振动模。在焦平面器件物理和技术研...

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