搜索结果: 121-135 共查到“电子科学与技术 半导体材料”相关记录146条 . 查询时间(0.071 秒)
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用有向前推进了一步。
基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。
由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办，西安交通大学微电子系、西安交通大学电子科学与技术系、陕西省信息光子技术重点实验室和西安交通大学-中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室承办的“第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”定于2010年10月25-29日在古城西安召开。召开这次会议的目的是为全国在本领域从事研究、教学、生产的科技人员和管理人员提供一个...
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
上海有机所n型有机半导体材料研究取得重要进展（图）
上海有机所 n型 有机半导体材料
2010/4/2
近年来，有机薄膜场效应晶体管（OTFT）因其在轻薄、可弯折、个性时尚的有机电子产品方面有广阔的应用前景，成为有机电子学中的研究热点。p型和n型有机半导体材料对于OTFT的发展同等重要，因为由p型和n型OTFT共同构筑的有机互补电路具有功耗低、操作速度快、噪音容限大等优点，可广泛用于各种有机数字电路，是实现有机电子器件应用的基础。然而，目前n型有机半导体材料的发展远远落后于p型有机半导体材料，具有高...
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第一章 半导体材料及二极管1.3。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第一章 半导体材料及二极管1.2。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第一章 半导体材料及二极管1.1。
该项目主要研究内容有：离子注入光电晶体光波导的形成及其机理研究。用MeVHe^+多级能量注入在KTP晶体上形成光波导，用棱镜耦合法观察到15条亮模，提出了离子注入光波导中的折射率分布与注入离子种类有关，并与注入过程中每个离子产生的空位有关。首次在国际上报道了离子注入Nd：YVO_4波导的形成，并测得了其荧光光谱，用脉冲激光淀积(PLD)首次在KTP晶体上实现高浓度掺杂(百分之几原子比)Er的波导激...
产品功能及应用领域：GaN半导体材料作为第三代半导体材料，主要用做蓝光发光二极管、蓝光激光器和革命性白光光源。广泛用于全彩显示，光通讯和光计算机、激光读取器等。技术特点：南昌大学作为国家863新材料GaN承担单位，利用自行研制的中国第一台立式GaN-MOVCD系统，在蓝宝石衬底上生长的外延片，具有非对称。与国内外同类产品比较：GaN半导体材料和兰光二极管是95年日本(日亚公司)最先产业化，世界上现...
基于化合物半导体材料高速光开关的研究
光开关 半导体材料 化合物半导体
2008/9/9
高速光开关及其阵列是高速大容量光通信网络中关键器件之一，GaAs、InP等化合物半导体材料是光源与光波导研究的重要材料之一。该项目以化合物半导体材料带内吸收机理研究及其在高速光开关中的应用和利用能带剪裁技术优化设计量子阱材料，达到增强场效应的同时，降低无电场作用时的传输损耗。分别对载流子注入结构和量子限制斯塔克效应研制高速、高消光比全内反射型光开关单元与阵列，同时，深入研究注入载流子对材料光学特性...
纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、技术的研发
激光器 纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
2008/9/3
在对当前1.3m波段激光器的材料体系进行深入调研分析的基础上选定InAsP/InGaAsP这一无铝的材料体系作为我们的主要研究对象，并针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工艺，在对激光器所需的多种InP基单元材料的生长特性进行细致研究的基础上生长出了性能较高的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料。针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工...