搜索结果: 136-146 共查到“电子科学与技术 半导体材料”相关记录146条 . 查询时间(0.069 秒)
一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
量子点 发光效率 半导体材料
2008/8/29
该发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，特征在于本发明提出的离子注入方法。该发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、技术的研发
激光器 纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
2008/8/27
在对当前1.3m波段激光器的材料体系进行深入调研分析的基础上选定InAsP/InGaAsP这一无铝的材料体系作为我们的主要研究对象，并针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工艺，在对激光器所需的多种InP基单元材料的生长特性进行细致研究的基础上生长出了性能较高的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料。针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工...
碲锌镉半导体材料的欧姆电极
欧姆电极 碲锌镉
2008/8/27
一种碲锌镉（CdZnTe）半导体材料的电极，包括CdZnTe材料，金属电极层，电极引线。其特征是电极层是一层复合金属层，由铜-银层和金层组成。由于铜-银层中的铜更容易与CdZnTe形成欧姆接触，银则与CdZnTe之间有较好的附着力。因此，采用铜-银作为与CdZnTe相接触的第一层金属层，使欧姆电极与CdZnTe附着力强，电极大小可控制，重复性好，所测得的I-V曲线具有良好的线性。
高补偿硅半导体材料的研究
硅 高补偿 半导体材料 电流振荡
2008/8/7
该技术在单晶硅中材料中掺杂过渡族Mn、Zn等元素与材料中原有的杂质B或者P形成补偿作用，可获得一种高补偿硅半导体材料，该材料具有在硅材料中掺杂硫原子与原有残存的杂质形成电中性复合体，从而中和晶体内部原有缺陷的电活性，形成电中性分子，优化材料性能。适当掺杂的该材料在直流电路中产生电流自维持振荡，其频率、振幅对光照强度等具有敏感响应，通过改变掺杂元素和浓度可对响应进行控制。适当掺杂的硅材料的电阻率对温...
中国科学院半导体材料科学重点实验室
中国科学院 半导体材料 重点实验室
2022/10/4
中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准，1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。前三届学术委员会主任分别为林兰英院士、蒋民华院士、王占国院士；实验室第一、二届主任为王占国院士，第三届主任为陈诺夫研究员，第四-五届主任为陈涌海研究员，现任实验室主任为刘峰奇研究员。实验室面向国家重大需求，围绕国际半导体材料科学前沿和要解决的关键科学与技术问题，开展半导体材料与...
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议征文通知
发布时间：2008-4-14 14:07:23新闻来源：半导体与集成技术分会发布人：zhuhong
由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办，中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办的“第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”定于2008年11月在广州召开。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会...
广州半导体材料研究所
广州半导体材料研究所 半导体材料
2008/1/11
广州半导体材料研究所创办于1966年，主要研究超纯硅多晶、高阻硅单晶、大规模集成电路级硅单晶片工艺技术及测试方法、测试仪器、电力电子元器件。目前利用半导体材料生产的配套技术及晶体生长技术，建立了测试技术开发中心、半导体技术开发中心、光电晶体研究开发中心、压电晶体研究开发中心、洁净技术中心。
天津市环欧半导体材料技术有限公司
天津市环欧半导体材料技术有限公司 半导体材料 硅
2008/1/7
天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验。开发了多项具有自主知识产权的特色产品，“直拉区熔（CFZ）硅单晶的研制”获国家知识产权局颁发的生产发明专利证书，并获天津市专利金奖。“气相掺杂区熔硅单晶的生产方法”等5项具有自主知识产权的项目，已通过国家知识产权局“发明专利申请初步审核”等。
中国粉体工业信息网2006年1月11日讯 在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、朱道本院士和武汉大学秦金贵教授合作，在以并五噻吩为半导体材料的场效应晶体管研究方面取得新进展，有关研究成果发表在近期的J.Am. Chem.Soc.（2005，Vol.127，No.38，p.13281－13286）上。
中国科学院化学所合成的并五噻吩有望成为新一类有机半导体材料（图）
并五噻吩 场效应晶体管
2006/1/3
中国科学院化学所有机固体院重点实验室2005年12月31日报道 在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，中国科学院化学所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、朱道本院士和武汉大学秦金贵教授合作，在以并五噻吩为半导体材料的场效应晶体管研究方面取得新进展，有关研究成果发表在近期的 J. Am. Chem. Soc. (2005, Vol. 127, No. 38, p.13281－13286)...